| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·宽带Ⅱ—Ⅵ族半导体的基本性质与研究进展 | 第8-9页 |
| ·宽带Ⅱ—Ⅵ族半导体的基本性质 | 第8页 |
| ·宽带Ⅱ—Ⅵ族半导体的发展状况 | 第8-9页 |
| ·ZnS和MgS的性质与结构 | 第9-11页 |
| ·ZnS的性质与结构 | 第9-11页 |
| ·MgS的性质与结构 | 第11页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xS薄膜的研究意义及现状 | 第11-13页 |
| ·本论文的目的及内容 | 第13-16页 |
| ·理论依据 | 第13-14页 |
| ·本论文的研究构思与内容 | 第14-16页 |
| 第二章 实验设备及检测仪器 | 第16-21页 |
| ·实验设备及药品 | 第16页 |
| ·薄膜特性的分析手段 | 第16-21页 |
| ·X射线能量色散谱(EDS)仪 | 第16-17页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第17页 |
| ·X射线衍射(XRD)仪 | 第17-18页 |
| ·拉曼光谱(Raman)仪 | 第18-19页 |
| ·紫外可见分光光度计 | 第19页 |
| ·光致发光谱(PL)仪 | 第19-20页 |
| ·四探针电阻测试仪 | 第20-21页 |
| 第三章 Zn_(1-x)Mg_xS薄膜的制备 | 第21-26页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xS薄膜的制备方法概述 | 第21-22页 |
| ·薄膜的制备过程 | 第22-24页 |
| ·预备工作 | 第22页 |
| ·加热蒸发源的制备与清洗 | 第22-23页 |
| ·基底的清洗 | 第23页 |
| ·真空室的清洗 | 第23页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xS薄膜制备的操作步骤 | 第23-24页 |
| ·薄膜的热处理 | 第24页 |
| ·薄膜制备过程中的经验与教训 | 第24-26页 |
| 第四章 Zn_(1-x)Mg_xS薄膜样品测试结果及分析 | 第26-50页 |
| ·石英玻璃基底上Zn_(1-x)Mg_xS薄膜 | 第26-44页 |
| ·X射线能量色散谱仪测试 | 第26-27页 |
| ·原子力显微镜测试 | 第27-28页 |
| ·X射线衍射测试 | 第28-33页 |
| ·激光拉曼光谱测试 | 第33-36页 |
| ·紫外—可见吸收光谱测试 | 第36-40页 |
| ·光致发光谱测试 | 第40-44页 |
| ·ITO导电玻璃基底上ZnMgS薄膜 | 第44-50页 |
| ·ZnMgS薄膜结构测试 | 第44-45页 |
| ·ZnMgS薄膜表面形貌测试 | 第45-46页 |
| ·ZnMgS薄膜紫外可见光吸收谱测试 | 第46-47页 |
| ·ZnMgS薄膜光致发光谱测试 | 第47-49页 |
| ·ZnMgS薄膜电阻率测试 | 第49-50页 |
| 第五章 总结和展望 | 第50-52页 |
| ·论文工作总结 | 第50-51页 |
| ·展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 附:作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第57页 |