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Hanle构型下铷原子塞曼子能级相干布居数囚禁实验研究

摘要第1-10页
Abstract第10-12页
引言第12-14页
第一章 光抽运第14-38页
   ·简介第14-15页
   ·抽运机制第15-19页
     ·布居数减少的抽运机制第15-17页
     ·布居数重组的抽运机制第17-19页
   ·弛豫过程第19-24页
     ·扰动弛豫第19-22页
     ·强碰撞弛豫第22-23页
     ·缓冲气体弛豫第23-24页
   ·自旋交换第24-26页
     ·自旋交换机制第25页
     ·自旋交换光谱第25-26页
   ·能级交叉实验第26-28页
   ·光学双共振实验第28-31页
   ·磁场计第31-34页
   ·频率标准第34-38页
第二章 相干布居数囚禁第38-63页
   ·基本概念与理论第38-41页
     ·拉比频率第38-39页
     ·Autler-Townes 效应第39-40页
     ·Fano 干涉第40-41页
   ·无反转激光第41-45页
   ·相干布居数转移第45-51页
   ·光存储第51-58页
     ·基本概念第51-52页
     ·正常色散与反常色散第52-56页
     ·光存储第56-58页
   ·相干布居数囚禁原子钟第58-63页
第三章 实验装置第63-93页
   ·半导体激光器第63-79页
     ·工作原理第63-65页
     ·模式选择第65-68页
     ·稳频技术第68-76页
     ·法布里-泊罗干涉仪第76-79页
   ·光与原子作用系统第79-84页
     ·磁屏蔽第79-83页
     ·磁场线圈第83-84页
   ·控制与采集系统第84-93页
     ·光电探测系统第84-87页
     ·信号采集及Labview 软件应用第87-93页
第四章 Hanle 构型下相干布居数囚禁理论第93-102页
   ·Hanle 效应简介第93-95页
   ·相干布居数囚禁理论第95-102页
     ·单色相干布居数囚禁理论模型第95-99页
     ·双色相干布居数囚禁理论模型第99-102页
第五章 实验结果第102-119页
   ·单色相干布居数囚禁实验第102-116页
     ·实验构型第102-103页
     ·光强变化第103-106页
     ·偏振变化第106-109页
     ·失谐量变化第109-111页
     ·透射谱第111-116页
   ·双色相干布居数囚禁实验第116-119页
结论与展望第119-120页
附录 I 琼斯矢量法第120-123页
附录 II 铷原子能级结构图第123-127页
附录 III 铷原子 D 2、 D1 线塞曼子能级跃迁几率第127-132页
参考文献第132-141页
攻读博士学位期间发表和已接收的论文目录第141-142页
致谢第142-143页

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