| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·集成平面波导器件常用的材料 | 第10-13页 |
| ·铌酸锂(LiNbO_3)材料 | 第10-11页 |
| ·硅基沉积二氧化硅(Silica-on-Silicon)材料 | 第11页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ半导体化合物材料 | 第11-12页 |
| ·聚合物材料 | 第12页 |
| ·绝缘体上的硅材料 | 第12-13页 |
| ·SOI光波导技术 | 第13-18页 |
| ·大截面的SOI脊形波导器件 | 第13-16页 |
| ·SOI光子集成波导技术 | 第16-18页 |
| ·本论文的工作 | 第18-20页 |
| 第二章 SOI光波导增透膜的制备和表征 | 第20-42页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积SiN_xO_y：H薄膜 | 第20-26页 |
| ·薄膜制备 | 第20-21页 |
| ·结果和讨论 | 第21-25页 |
| ·小结 | 第25-26页 |
| ·离子束辅助沉积SiN_xO_y薄膜 | 第26-32页 |
| ·实验设备与材料 | 第26-27页 |
| ·结果和讨论 | 第27-32页 |
| ·小结 | 第32页 |
| ·电子束蒸镀HfO_2增透膜 | 第32-40页 |
| ·实验设备 | 第32-33页 |
| ·结果和讨论 | 第33-40页 |
| ·小结 | 第40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 第三章 单模SOI脊形光波导的设计与制备 | 第42-71页 |
| ·SOI脊形波导单模传输理论 | 第42-44页 |
| ·电感耦合等离子体反应离子刻蚀 | 第44-48页 |
| ·SOI脊形波导的制备 | 第48-53页 |
| ·集成光波导器件的制备 | 第53-60页 |
| ·V-型槽阵列器件制备 | 第53-56页 |
| ·U-型槽阵列器件制备 | 第56-60页 |
| ·集成Y分支器件的制备 | 第60-64页 |
| ·集成T分支器件的制备 | 第64-70页 |
| ·小结 | 第70-71页 |
| 第四章 波导散射损耗及其降低方法 | 第71-98页 |
| ·散射损耗模型 | 第71-75页 |
| ·Marcuse模型 | 第71-72页 |
| ·Payne和Lacey公式 | 第72-74页 |
| ·Tien的公式 | 第74-75页 |
| ·表面粗糙度的测量 | 第75-89页 |
| ·原子力扫描显微镜 | 第75-77页 |
| ·SOI脊形波导上下界面的表面形貌 | 第77-79页 |
| ·SOI脊形波导端面的表面形貌 | 第79-85页 |
| ·SOI脊形波导侧壁的表面形貌 | 第85-87页 |
| ·SOI脊形波导转弯微镜的表面形貌 | 第87-89页 |
| ·降低表面粗糙度的方法 | 第89-96页 |
| ·提高模版质量和氢退火 | 第89-92页 |
| ·真空退火 | 第92-93页 |
| ·ICPRIE单步工艺 | 第93-95页 |
| ·氧化清洗方法 | 第95-96页 |
| ·本章小结 | 第96-98页 |
| 第五章 总结 | 第98-100页 |
| 参考文献 | 第100-111页 |
| 攻读博士期间发表的论文目录 | 第111-113页 |
| 致谢 | 第113-114页 |
| 个人简历 | 第114-115页 |
| 学位论文独创性声明 | 第115页 |
| 学位论文使用授权声明 | 第115页 |