ICP辅助磁控溅射制备多晶硅薄膜
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 引言 | 第11-12页 |
| 1 硅基薄膜材料的应用和制备 | 第12-30页 |
| ·硅基薄膜材料在平板显示领域的应用 | 第12-19页 |
| ·液晶显示器 | 第12-15页 |
| ·有机发光二极管显示器 | 第15-17页 |
| ·弹道电子平面发射源显示器 | 第17-19页 |
| ·硅基薄膜材料在太阳电池的应用 | 第19-24页 |
| ·非晶硅薄膜太阳电池 | 第20-22页 |
| ·多晶硅薄膜太阳电池 | 第22-24页 |
| ·多晶硅薄膜的主要制备方法 | 第24-29页 |
| ·非晶硅薄膜再结晶法 | 第24-25页 |
| ·化学气相沉积法 | 第25-28页 |
| ·物理气相沉积法 | 第28-29页 |
| ·本论文制备多晶硅薄膜的技术路线与课题背景介绍 | 第29-30页 |
| 2 实验 | 第30-49页 |
| ·沉积装置介绍 | 第30-33页 |
| ·等离子体源辅助磁控溅射装置构造 | 第30-31页 |
| ·电感耦合等离子体源 | 第31-33页 |
| ·电感耦合等离子体源的放电特性 | 第33-41页 |
| ·Langmuir探针诊断装置介绍 | 第33-36页 |
| ·电感耦合等离子体诊断结果 | 第36-41页 |
| ·多晶硅薄膜的表征 | 第41-49页 |
| ·拉曼散射 | 第41-44页 |
| ·X射线衍射 | 第44-47页 |
| ·紫外可见光吸收光谱 | 第47-49页 |
| 3 氢气对多晶硅薄膜制备的影响 | 第49-65页 |
| ·氢气稀释的影响 | 第49-61页 |
| ·Raman散射与多晶硅薄膜的晶化率 | 第49-51页 |
| ·XRD与多晶硅薄膜的择优取向 | 第51-54页 |
| ·红外光谱分析与硅氢键键合结构 | 第54-57页 |
| ·光学带隙 | 第57-58页 |
| ·多晶硅薄膜微观形貌 | 第58-61页 |
| ·沉积气压和氢气分压的影响 | 第61-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 4 辅助等离子体源的作用 | 第65-89页 |
| ·辅助等离子体源的放电功率对多晶硅薄膜制备的影响 | 第66-71页 |
| ·ICP放电功率对薄膜微结构的影响 | 第67-69页 |
| ·ICP放电功率对硅氢键合结构的影响 | 第69-70页 |
| ·ICP放电功率对薄膜光学带隙的影响 | 第70-71页 |
| ·ICP-MS系统制备多晶硅薄膜的晶化机制 | 第71-88页 |
| ·氢化多晶硅薄膜的晶化模型 | 第71-76页 |
| ·ICP-MS系统制备多晶硅薄膜的光谱诊断 | 第76-82页 |
| ·ICP-MS系统制备多晶硅薄膜的晶化机制 | 第82-88页 |
| ·本章小结 | 第88-89页 |
| 5 温度对多晶硅薄膜制备的影响 | 第89-98页 |
| ·温度对硅薄膜晶化率的影响 | 第89-91页 |
| ·温度对硅薄膜中硅氢键的影响 | 第91-94页 |
| ·温度对硅薄膜光学带隙的影响 | 第94-96页 |
| ·本章小结 | 第96-98页 |
| 6 偏压对多晶硅薄膜制备的影响 | 第98-121页 |
| ·多晶硅薄膜的氧化 | 第98-103页 |
| ·离子轰击对多晶硅薄膜制备的影响 | 第103-115页 |
| ·离子轰击对多晶硅薄膜微结构的影响 | 第104-107页 |
| ·离子轰击对硅氢键合结构的影响 | 第107-111页 |
| ·离子轰击强度的影响 | 第111-113页 |
| ·微观形貌的变化 | 第113-115页 |
| ·电子轰击对多晶硅薄膜制备的影响 | 第115-119页 |
| ·本章小结 | 第119-121页 |
| 结论 | 第121-123页 |
| 参考文献 | 第123-135页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第135-136页 |
| 致谢 | 第136-137页 |
| 作者简介 | 第137-138页 |
