| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·碳纳米管的结构和性质 | 第9-13页 |
| ·碳纳米管的制备 | 第13-14页 |
| ·碳纳米管的应用前景 | 第14-18页 |
| ·本文的工作目的 | 第18-20页 |
| 第二章 含有五边形-七边形拓扑缺陷对的碳纳米管的电学性能 | 第20-33页 |
| ·SSH哈密顿模型 | 第20-23页 |
| ·含有拓扑缺陷的碳纳米管的电学性能 | 第23-31页 |
| ·理论模型与计算方法 | 第23-25页 |
| ·结果分析与讨论 | 第25-31页 |
| ·总结 | 第31-33页 |
| 第三章 碳纳米管中库仑作用对其电学性能的影响 | 第33-42页 |
| ·理论模型与计算方法 | 第33-34页 |
| ·结果讨论与分析 | 第34-41页 |
| ·总结 | 第41-42页 |
| 第四章 次近邻电子跳跃对理想锯齿型碳纳米管电学性能的影响 | 第42-54页 |
| ·理论模型与计算方法 | 第42-44页 |
| ·计算结果 | 第44-53页 |
| ·总结 | 第53-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-57页 |
| ·本文的主要工作和结论 | 第54-55页 |
| ·有待进一步开展的研究工作 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 攻读硕士期间主要的研究成果 | 第63页 |