摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-12页 |
第一章 绪论 | 第12-14页 |
第二章 文献综述 | 第14-36页 |
·太阳能发电概述 | 第14-22页 |
·太阳能简介 | 第14-16页 |
·太阳能发电原理及其应用 | 第16-19页 |
·行业发展状况 | 第19-22页 |
·晶硅太阳电池 | 第22页 |
·薄膜太阳电池 | 第22-26页 |
·非晶/微晶硅薄膜电池 | 第23-24页 |
·CdTe/CdS太阳电池 | 第24-25页 |
·Cu(In_xGa_(1-x))(S_xSe_(1-x)_2太阳电池 | 第25-26页 |
·SnS太阳电池 | 第26页 |
·CuInS_2薄膜的制备 | 第26-32页 |
·CuInS_2的基本性质 | 第26-27页 |
·真空法制备CuInS_2 | 第27-28页 |
·非真空法制备CuInS_2 | 第28-32页 |
·SnS薄膜制备 | 第32-34页 |
·SnS的基本性质 | 第32页 |
·热蒸发法 | 第32页 |
·悬涂热解法 | 第32-33页 |
·化学水浴法 | 第33页 |
·硫化法 | 第33-34页 |
·本论文的研究目的和内容 | 第34-36页 |
第三章 实验方案及仪器 | 第36-42页 |
·实验方案 | 第36-38页 |
·金属前驱体颗粒的制备 | 第36页 |
·金属颗粒墨水及前驱体薄膜的制备 | 第36-37页 |
·热处理以及后续硫化工艺 | 第37页 |
·薄膜电池器件制备 | 第37-38页 |
·实验设备 | 第38-39页 |
·金属颗粒制备装置 | 第38-39页 |
·热处理炉 | 第39页 |
·其他设备 | 第39页 |
·测试及分析手段 | 第39-42页 |
·扫描电镜镜及能谱(SEM) | 第40页 |
·X射线衍射分析仪(XRD) | 第40-41页 |
·拉曼散射谱分析(Raman Shift) | 第41页 |
·光谱测试(UV-Vis) | 第41页 |
·器件电压-电流特性(I-V) | 第41-42页 |
第四章 CuInS_2薄膜及器件的制备 | 第42-64页 |
·引言 | 第42页 |
·金属前驱体薄膜的制备 | 第42-48页 |
·铜铟合金颗粒的制备 | 第42-44页 |
·金属颗粒墨水的制备及沉积 | 第44-47页 |
·本节总结 | 第47-48页 |
·Cu-In前驱体的硫化 | 第48-58页 |
·Cu-In前驱体薄膜直接硫化 | 第48-50页 |
·Cu-In前驱体薄膜空气热处理后硫化 | 第50-57页 |
·本节总结 | 第57-58页 |
·CuInS_2薄膜的光电学性质 | 第58-59页 |
·CuInS_2薄膜的光学特性 | 第58-59页 |
·CuInS_2薄膜的电学特性 | 第59页 |
·CuInS_2薄膜电池器件的制备 | 第59-62页 |
·缓冲层CdS的制备 | 第59-60页 |
·窗口层ZnO的制备 | 第60-61页 |
·上电极的制备 | 第61-62页 |
·电流电压特性测试 | 第62页 |
·本章总结 | 第62-64页 |
第五章 SnS薄膜光伏材料的制备 | 第64-76页 |
·引言 | 第64页 |
·Sn前驱体薄膜的制备 | 第64-66页 |
·前言 | 第64-65页 |
·Sn金属颗粒的制备 | 第65页 |
·Sn金属墨水的制备与沉积 | 第65-66页 |
·Sn前驱体薄膜的硫化 | 第66-71页 |
·前言 | 第66页 |
·硫化温度的影响 | 第66-69页 |
·硫化时间和气压的影响 | 第69-71页 |
·SnS的光电学性能表征 | 第71-74页 |
·光学性质的表征 | 第71-72页 |
·电学性质的表征 | 第72页 |
·I-V特性的表征 | 第72-74页 |
·本章总结 | 第74-76页 |
第六章 颗粒墨水法制备In_2S_3 | 第76-84页 |
·引言 | 第76页 |
·In前驱体薄膜的制备 | 第76-77页 |
·In纳米颗粒的制备 | 第76-77页 |
·金属墨水的制备及沉积 | 第77页 |
·In前驱体薄膜的硫化 | 第77-81页 |
·不同硫化温度的影响 | 第77-79页 |
·不同硫化时间的影响 | 第79-80页 |
·不同衬底上生长的1n2s3 | 第80-81页 |
·In_2S_3薄膜光学性质表征 | 第81-82页 |
·本章小结 | 第82-84页 |
第七章 结论 | 第84-86页 |
参考文献 | 第86-92页 |
致谢 | 第92-94页 |
个人简历 | 第94-96页 |
攻读学位期间取得的研究成果 | 第96页 |