太阳电池用晶体硅中氧碳杂质与缺陷
摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-9页 |
第一章 绪论 | 第9-13页 |
·研究的背景和意义 | 第9-10页 |
·本研究的目的和内容 | 第10页 |
·本文的结构安排及内容概要 | 第10-13页 |
第二章 文献综述 | 第13-31页 |
·引言 | 第13页 |
·晶体硅太阳电池原理及制备 | 第13-20页 |
·晶体硅太阳电池原理 | 第13-14页 |
·太阳电池主要参数 | 第14-17页 |
·晶体硅电池制备 | 第17-20页 |
·晶体硅中氧与碳元素杂质与缺陷 | 第20-24页 |
·硅中氧及其缺陷 | 第20-23页 |
·硅中碳及其缺陷 | 第23-24页 |
·辐照晶体硅中空位-氧-相关缺陷 | 第24-28页 |
·晶体硅中辐照缺陷 | 第24-27页 |
·辐照缺陷的退火行为 | 第27-28页 |
·本文研究方向的提出 | 第28-31页 |
第三章 实验内容和测试仪器 | 第31-37页 |
·实验样品及内容 | 第31-32页 |
·不同氧沉淀浓度的电池片 | 第31页 |
·中子辐照晶体硅 | 第31页 |
·含碳晶体硅样品 | 第31-32页 |
·测试仪器和方法 | 第32-37页 |
·常规热处理炉和光学显微镜 | 第32页 |
·傅里叶红外 | 第32-34页 |
·微波光电导衰减仪 | 第34页 |
·量子效率 | 第34-37页 |
第四章 氧沉淀对晶体硅太阳电池性能的影响 | 第37-45页 |
·引言 | 第37页 |
·实验 | 第37-38页 |
·氧沉淀的有效形成 | 第37-38页 |
·氧沉淀对晶体硅太阳电池性能的影响 | 第38页 |
·氧沉淀的有效形成 | 第38-40页 |
·氧沉淀对晶体硅太阳电池性能的影响 | 第40-44页 |
·氧沉淀对电池的电学性质影响 | 第40-42页 |
·氧沉淀对电池主要参数的影响 | 第42-44页 |
·小结 | 第44-45页 |
第五章 中子辐照晶体硅中空位-氧相关缺陷 | 第45-61页 |
·引言 | 第45-46页 |
·实验 | 第46页 |
·中子辐照晶体硅中缺陷的基本性质 | 第46页 |
·定量研究中子辐照晶体硅中VO与VO_2的行为 | 第46页 |
·掺锗晶体硅中中间态O-V-O缺陷研究 | 第46页 |
·中子辐照晶体硅中缺陷的基本性质 | 第46-51页 |
·定量研究中子辐照晶体硅中VO与VO_2的行为 | 第51-56页 |
·掺锗晶体硅中中间态O-V-O缺陷研究 | 第56-60页 |
·本章小结 | 第60-61页 |
第六章 硅中碳相关杂质与缺陷研究 | 第61-69页 |
·引言 | 第61页 |
·实验 | 第61页 |
·铸造多晶硅顶部微晶区缺陷分析 | 第61-64页 |
·含碳晶体硅中碳杂质和缺陷 | 第64-67页 |
·本章小结 | 第67-69页 |
第七章 结论 | 第69-71页 |
参考文献 | 第71-77页 |
致谢 | 第77-79页 |
个人简历 | 第79-81页 |
攻读学位期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第81页 |