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太阳电池用晶体硅中氧碳杂质与缺陷

摘要第1-6页
Abstract第6-9页
第一章 绪论第9-13页
   ·研究的背景和意义第9-10页
   ·本研究的目的和内容第10页
   ·本文的结构安排及内容概要第10-13页
第二章 文献综述第13-31页
   ·引言第13页
   ·晶体硅太阳电池原理及制备第13-20页
     ·晶体硅太阳电池原理第13-14页
     ·太阳电池主要参数第14-17页
     ·晶体硅电池制备第17-20页
   ·晶体硅中氧与碳元素杂质与缺陷第20-24页
     ·硅中氧及其缺陷第20-23页
     ·硅中碳及其缺陷第23-24页
   ·辐照晶体硅中空位-氧-相关缺陷第24-28页
     ·晶体硅中辐照缺陷第24-27页
     ·辐照缺陷的退火行为第27-28页
   ·本文研究方向的提出第28-31页
第三章 实验内容和测试仪器第31-37页
   ·实验样品及内容第31-32页
     ·不同氧沉淀浓度的电池片第31页
     ·中子辐照晶体硅第31页
     ·含碳晶体硅样品第31-32页
   ·测试仪器和方法第32-37页
     ·常规热处理炉和光学显微镜第32页
     ·傅里叶红外第32-34页
     ·微波光电导衰减仪第34页
     ·量子效率第34-37页
第四章 氧沉淀对晶体硅太阳电池性能的影响第37-45页
   ·引言第37页
   ·实验第37-38页
     ·氧沉淀的有效形成第37-38页
     ·氧沉淀对晶体硅太阳电池性能的影响第38页
   ·氧沉淀的有效形成第38-40页
   ·氧沉淀对晶体硅太阳电池性能的影响第40-44页
     ·氧沉淀对电池的电学性质影响第40-42页
     ·氧沉淀对电池主要参数的影响第42-44页
   ·小结第44-45页
第五章 中子辐照晶体硅中空位-氧相关缺陷第45-61页
   ·引言第45-46页
   ·实验第46页
     ·中子辐照晶体硅中缺陷的基本性质第46页
     ·定量研究中子辐照晶体硅中VO与VO_2的行为第46页
     ·掺锗晶体硅中中间态O-V-O缺陷研究第46页
   ·中子辐照晶体硅中缺陷的基本性质第46-51页
   ·定量研究中子辐照晶体硅中VO与VO_2的行为第51-56页
   ·掺锗晶体硅中中间态O-V-O缺陷研究第56-60页
   ·本章小结第60-61页
第六章 硅中碳相关杂质与缺陷研究第61-69页
   ·引言第61页
   ·实验第61页
   ·铸造多晶硅顶部微晶区缺陷分析第61-64页
   ·含碳晶体硅中碳杂质和缺陷第64-67页
   ·本章小结第67-69页
第七章 结论第69-71页
参考文献第71-77页
致谢第77-79页
个人简历第79-81页
攻读学位期间发表的学术论文与取得的其他研究成果第81页

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