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阵列化锰铜薄膜超高压力传感器的研究

第一章 绪论第1-14页
 1.1 引言第8-10页
 1.2 超高压力传感器第10-13页
  1.2.1 压阻传感器第10-12页
  1.2.2 压电传感器第12-13页
  1.2.3 电容、电感、双金属结传感器第13页
 1.3 本章小结第13-14页
第二章 材料选择与结构设计第14-23页
 2.1 传感器的选择第14-16页
 2.2 敏感材料的选择第16-17页
 2.3 封装材料的选择第17-18页
 2.4 传感器结构设计第18-22页
 2.5 本章小结第22-23页
第三章 实验过程第23-44页
 3.1 工艺流程第23-25页
 3.2 锰铜敏感薄膜的制备第25-34页
  3.2.1 制备过程及方法第25-27页
  3.2.2 参数测量第27-29页
  3.2.3 微观测试与分析第29-34页
 3.3 电极第34页
 3.4 光刻工艺第34-35页
  3.4.1 原理第34-35页
  3.4.2 工艺过程第35页
 3.5 封装绝缘层薄膜的制备第35-39页
  3.5.1 制备过程及方法第35-36页
  3.5.2 参数测量第36页
  3.5.3 微观测试与分析第36-39页
 3.6 封装第39-40页
 3.7 检测第40-41页
 3.8 轻气炮试验第41-43页
 3.9 本章小结第43-44页
第四章 高压测试第44-66页
 4.1 冲击波基本概念第44-55页
  4.1.1 冲击波基本原理第44-48页
  4.1.2 传感器的测试结构第48-55页
 4.2 数据分析计算第55-65页
  4.2.1 靶板中的压力第55-57页
  4.2.2 封装体中的压力第57-58页
  4.2.3 试验数据计算第58-65页
 4.3 本章小结第65-66页
第五章 结论及建议第66-68页
 5.1 主要结论第66-67页
 5.2 有待深入研究的问题第67-68页
参考文献第68-71页
致谢第71-72页
攻读硕士学位期间的论著第72页

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