| 第一章 绪论 | 第1-11页 |
| §1-1 掺杂的作用 | 第7-8页 |
| §1-2 半导体发光材料研究进展 | 第8-10页 |
| §1-3 最佳掺杂含量理论研究的创新点和意义 | 第10-11页 |
| 第二章 基础知识 | 第11-21页 |
| §2-1 晶体结构 | 第11-13页 |
| 2-1-1 空间点阵 | 第11-12页 |
| 2-1-2 晶面与晶向 | 第12-13页 |
| §2-2 闪锌矿结构、金刚石结构和纤锌矿结构 | 第13-14页 |
| §2-3 缺陷及其对发光的影响 | 第14-16页 |
| 2-3-1 缺陷的种类 | 第14页 |
| 2-3-2 缺陷及其对发光的影响 | 第14-16页 |
| §2-4 能带及能带结构 | 第16-21页 |
| 2-4-1 能带论 | 第16-17页 |
| 2-4-2 能带结构 | 第17-19页 |
| 2-4-3 带隙宽度的性质 | 第19页 |
| 2-4-4 掺杂或杂质对能带的影响 | 第19-21页 |
| 第三章 半导体的激发与发光 | 第21-25页 |
| §3-1 半导体发光原理 | 第21-22页 |
| §3-2 半导体发光材料的条件 | 第22-23页 |
| §3-3 复合的种类 | 第23-25页 |
| 3-3-1 辐射型复合 | 第23-24页 |
| 3-3-2 非辐射型复合 | 第24-25页 |
| 第四章 掺杂理论 | 第25-30页 |
| §4-1 理论的模型与假设 | 第25-27页 |
| §4-2 拟合抛物线方程与最佳掺杂含量公式 | 第27-28页 |
| §4-3 掺杂含量的泰勒展开与最佳掺杂含量公式 | 第28-30页 |
| 第五章 理论应用 | 第30-40页 |
| §5-1 硫化锌发光材料 | 第30-32页 |
| 5-1-1 引言 | 第30-31页 |
| 5-1-2 结构与模型 | 第31页 |
| 5-1-3 理论应用 | 第31-32页 |
| 5-1-4 硫化锌其它掺杂 | 第32页 |
| §5-2 硅基发光材料 | 第32-34页 |
| 5-2-1 引言 | 第32页 |
| 5-2-2 掺铒硅的应用前景 | 第32-33页 |
| 5-2-3 掺铒硅的结构 | 第33-34页 |
| 5-2-4 理论应用 | 第34页 |
| §5-3 半导体GaAs、GaP、GaN等发光材料 | 第34-40页 |
| 5-3-1 材料性质 | 第34-36页 |
| 5-3-2 结构与模型 | 第36页 |
| 5-3-3 理论应用 | 第36-38页 |
| 5-3-4 实验数据与理论计算值的对比 | 第38-40页 |
| 第六章 结论 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 致谢 | 第43-44页 |
| 发表论文 | 第44页 |