电容放电条件下空载H形半导体桥桥区电热模型研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 图表目录 | 第10-11页 |
| 1 绪论 | 第11-17页 |
| ·研究背景和意义 | 第11页 |
| ·国内外SCB电热理论研究概况 | 第11-15页 |
| ·国外研究情况 | 第12-13页 |
| ·国内研究情况 | 第13-15页 |
| ·本文的研究内容 | 第15-17页 |
| 2 实验及结果分析 | 第17-25页 |
| ·半导体桥芯片简介 | 第17-18页 |
| ·空载SCB芯片的电路实验和结果 | 第18-23页 |
| ·电容放电实验电路 | 第18-19页 |
| ·电容放电实验结果 | 第19页 |
| ·直流放电试验电路 | 第19-20页 |
| ·直流放电实验结果 | 第20页 |
| ·SCB等离子体温度测量装置 | 第20-22页 |
| ·原子发射光谱双谱线法测温原理 | 第20-22页 |
| ·SCB等离子体温度测量原理图 | 第22页 |
| ·SCB等离子体温度测量结果 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-25页 |
| 3 SCB芯片的作用机理 | 第25-33页 |
| ·SCB的作用过程 | 第25-26页 |
| ·SCB的点火能量 | 第26-27页 |
| ·SCB的动态电阻 | 第27页 |
| ·SCB的熔化和气化 | 第27-31页 |
| ·SCB电阻从表面向中心的加热过程 | 第27-31页 |
| ·边缘气化效应 | 第31页 |
| ·本章小结 | 第31-33页 |
| 4 空载H形SCB电阻电热模型 | 第33-63页 |
| ·导热微分方程基础 | 第33-36页 |
| ·概论 | 第33-34页 |
| ·导热微分方程及其定解问题 | 第34-36页 |
| ·方程推导 | 第34-35页 |
| ·定解条件 | 第35-36页 |
| ·定解问题 | 第36页 |
| ·空载H形SCB电阻传热模型 | 第36-49页 |
| ·基底-桥区-药剂的一维导热模型 | 第37-41页 |
| ·基底-桥区-药剂传热系统的假设条件 | 第37-38页 |
| ·SCB桥区升温方程 | 第38页 |
| ·接触面-药剂半无限大物体升温方程 | 第38-39页 |
| ·接触面-基底半无限大物体升温方程 | 第39页 |
| ·基底-桥区-药剂升温方程的解 | 第39-40页 |
| ·本节小结 | 第40-41页 |
| ·桥区-基底半无限大物体的强瞬态热传导模型 | 第41-47页 |
| ·桥区-基底半无限大物体的假设条件 | 第41-42页 |
| ·半无限大物体强瞬态热传导方程的定解问题 | 第42-43页 |
| ·半无限大物体强瞬态热传导方程的解 | 第43-44页 |
| ·桥区-基底半无限大物体传热结果分析 | 第44-47页 |
| ·本节小结 | 第47页 |
| ·SCB桥区的集总参数法对流换热模型 | 第47-49页 |
| ·集总参数法对流换热模型的假设条件 | 第47-48页 |
| ·集总参数法对流换热模型的定解问题 | 第48页 |
| ·集总参数法对流换热模型的结果和分析 | 第48-49页 |
| ·本节小结 | 第49页 |
| ·电容放电实验电路的电压控制方程 | 第49-51页 |
| ·理论电压控制方程 | 第49页 |
| ·经验电压控制公式 | 第49-50页 |
| ·理论和经验电压控制方程的比较分析 | 第50-51页 |
| ·电阻-温度(能量)曲线 | 第51-62页 |
| ·电阻-温度关系的理论算法 | 第51-57页 |
| ·固态单晶硅的电导率 | 第52-55页 |
| ·液态硅的电导率 | 第55页 |
| ·电阻-温度(能量)曲线 | 第55-57页 |
| ·本节小结 | 第57页 |
| ·SCB电阻的一种建模方法 | 第57-61页 |
| ·凝聚态(固态、液态)加热过程的电阻率 | 第57-59页 |
| ·熔化过程的电阻率 | 第59-61页 |
| ·气态和等离子体的电阻率 | 第61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| ·本章总结 | 第62-63页 |
| 5 结束语 | 第63-65页 |
| ·论文主要结果与创新点 | 第63-64页 |
| ·工作展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
