提要 | 第1-8页 |
第一章 绪论 | 第8-24页 |
·半金属的基本性质 | 第9-10页 |
·传导电子的完全极化 | 第9页 |
·整数磁矩 | 第9页 |
·低温或低场下对Stoner 激发的禁止 | 第9-10页 |
·二氧化铬的性质 | 第10-14页 |
·物理性质 | 第10-13页 |
·CrO_2的化学性质 | 第13页 |
·CrO_2薄膜的研究现状 | 第13-14页 |
·TiO_2的性质 | 第14-17页 |
·TiO_2的物理性质 | 第14-16页 |
·TiO_2的化学性质 | 第16-17页 |
·薄膜的制备方法 | 第17-20页 |
·物理气相沉积 | 第17页 |
·化学气相沉积 | 第17-20页 |
·金属有机物化学气相沉积 | 第18页 |
·激光化学气相沉积 | 第18-19页 |
·等离子体增强化学气相沉积 | 第19页 |
·常压化学气相沉积 | 第19-20页 |
·研究背景和主要内容 | 第20-22页 |
参考文献 | 第22-24页 |
第二章 TiO_2薄膜和CrO_2薄膜的制备方法及其表征 | 第24-33页 |
·TiO_2薄膜的制备方法 | 第24页 |
·CrO_2薄膜的制备方法 | 第24-25页 |
·实验结果表征 | 第25-32页 |
·X 射线衍射 | 第25-26页 |
·扫描电子显微镜 | 第26-27页 |
·原子力显微镜 | 第27-28页 |
·振动样品磁强计 | 第28-30页 |
·拉曼光谱仪 | 第30-31页 |
·紫外-可见光吸收光谱仪 | 第31-32页 |
参考文献 | 第32-33页 |
第三章 MOCVD法制备TiO_2薄膜及其退火研究 | 第33-45页 |
·TiO_2薄膜的制备 | 第33-36页 |
·反应体系的确定 | 第33-34页 |
·实验装置 | 第34-35页 |
·基片的预处理 | 第35页 |
·实验流程 | 第35-36页 |
·沉积温度对薄膜结构影响 | 第36-38页 |
·薄膜的形貌表征 | 第38-40页 |
·薄膜的SEM 分析 | 第39页 |
·薄膜的AFM 分析 | 第39-40页 |
·退火对薄膜结构及形貌的影响 | 第40-41页 |
·薄膜透射光谱及光禁带计算 | 第41-43页 |
·本章小结 | 第43-44页 |
参考文献 | 第44-45页 |
第四章 常压CVD法制备CrO_2薄膜及磁性研究 | 第45-54页 |
·CrO_2薄膜制备 | 第46-49页 |
·实验装置 | 第47-48页 |
·CrO_2薄膜的制备过程 | 第48-49页 |
·CrO_2薄膜测试与分析 | 第49-52页 |
·CrO_2薄膜的XRD分析 | 第49-50页 |
·CrO_2薄膜的SEM分析 | 第50-51页 |
·CrO_2薄膜的磁性分析 | 第51页 |
·CrO_2薄膜的磁电阻研究 | 第51-52页 |
·本章小结 | 第52-53页 |
参考文献 | 第53-54页 |
第五章 总结 | 第54-56页 |
致谢 | 第56-57页 |
中文摘要 | 第57-60页 |
英文摘要 | 第60-63页 |