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二氧化钛和二氧化铬薄膜的生长及物性研究

提要第1-8页
第一章 绪论第8-24页
   ·半金属的基本性质第9-10页
     ·传导电子的完全极化第9页
     ·整数磁矩第9页
     ·低温或低场下对Stoner 激发的禁止第9-10页
   ·二氧化铬的性质第10-14页
     ·物理性质第10-13页
     ·CrO_2的化学性质第13页
     ·CrO_2薄膜的研究现状第13-14页
   ·TiO_2的性质第14-17页
     ·TiO_2的物理性质第14-16页
     ·TiO_2的化学性质第16-17页
   ·薄膜的制备方法第17-20页
     ·物理气相沉积第17页
     ·化学气相沉积第17-20页
       ·金属有机物化学气相沉积第18页
       ·激光化学气相沉积第18-19页
       ·等离子体增强化学气相沉积第19页
       ·常压化学气相沉积第19-20页
   ·研究背景和主要内容第20-22页
 参考文献第22-24页
第二章 TiO_2薄膜和CrO_2薄膜的制备方法及其表征第24-33页
   ·TiO_2薄膜的制备方法第24页
   ·CrO_2薄膜的制备方法第24-25页
   ·实验结果表征第25-32页
     ·X 射线衍射第25-26页
     ·扫描电子显微镜第26-27页
     ·原子力显微镜第27-28页
     ·振动样品磁强计第28-30页
     ·拉曼光谱仪第30-31页
     ·紫外-可见光吸收光谱仪第31-32页
 参考文献第32-33页
第三章 MOCVD法制备TiO_2薄膜及其退火研究第33-45页
   ·TiO_2薄膜的制备第33-36页
     ·反应体系的确定第33-34页
     ·实验装置第34-35页
     ·基片的预处理第35页
     ·实验流程第35-36页
   ·沉积温度对薄膜结构影响第36-38页
   ·薄膜的形貌表征第38-40页
     ·薄膜的SEM 分析第39页
     ·薄膜的AFM 分析第39-40页
   ·退火对薄膜结构及形貌的影响第40-41页
   ·薄膜透射光谱及光禁带计算第41-43页
   ·本章小结第43-44页
 参考文献第44-45页
第四章 常压CVD法制备CrO_2薄膜及磁性研究第45-54页
   ·CrO_2薄膜制备第46-49页
     ·实验装置第47-48页
     ·CrO_2薄膜的制备过程第48-49页
   ·CrO_2薄膜测试与分析第49-52页
     ·CrO_2薄膜的XRD分析第49-50页
     ·CrO_2薄膜的SEM分析第50-51页
     ·CrO_2薄膜的磁性分析第51页
     ·CrO_2薄膜的磁电阻研究第51-52页
   ·本章小结第52-53页
 参考文献第53-54页
第五章 总结第54-56页
致谢第56-57页
中文摘要第57-60页
英文摘要第60-63页

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