双岛单电子晶体管的数值模拟研究
| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·课题的研究背景和意义 | 第11-13页 |
| ·课题的相关研究现状 | 第13-19页 |
| ·隧穿效应和库仑阻塞效应 | 第13-14页 |
| ·单电子晶体管的制备与影响因素 | 第14-15页 |
| ·单电子理论和模拟器 | 第15-16页 |
| ·基本的单电子器件 | 第16-19页 |
| ·论文的主要工作和创新 | 第19-20页 |
| ·论文的结构 | 第20-21页 |
| 第二章 单电子模拟概述 | 第21-30页 |
| ·单电子隧穿率 | 第21-23页 |
| ·单电子自由能 | 第23-27页 |
| ·一维多岛单电子晶体管自由能 | 第24-26页 |
| ·双岛单电子晶体管自由能 | 第26-27页 |
| ·单电子电容 | 第27-28页 |
| ·单电子模型分类 | 第28-29页 |
| ·小结 | 第29-30页 |
| 第三章 双岛单电子晶体管 MC 数值模拟方法 | 第30-48页 |
| ·单电子MC 模拟方法介绍 | 第30-31页 |
| ·单电子晶体管MC 数值模拟及分析 | 第31-43页 |
| ·程序流程及初步优化 | 第31-32页 |
| ·程序验证 | 第32-34页 |
| ·模拟结果分析 | 第34-43页 |
| ·MC 数值模拟方法的改进 | 第43-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 双岛单电子晶体管的ME 数值模拟方法 | 第48-65页 |
| ·主方程模型 | 第48-51页 |
| ·单电子晶体管稳态图介绍 | 第51-52页 |
| ·双岛单电子晶体管主方程模型 | 第52-61页 |
| ·双岛单电子晶体管主方程模拟结果 | 第61-64页 |
| ·小结 | 第64-65页 |
| 第五章 结束语 | 第65-67页 |
| ·全文工作总结 | 第65-66页 |
| ·未来工作展望 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第72页 |
