| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-29页 |
| ·纳米电子学与纳米电子器件 | 第11-19页 |
| ·纳米技术 | 第11-12页 |
| ·纳米电子学 | 第12-15页 |
| ·纳米电子器件 | 第15-17页 |
| ·纳米电子器件的制备技术 | 第17-19页 |
| ·单电子学与单电子晶体管 | 第19-27页 |
| ·单电子学 | 第19-21页 |
| ·单电子晶体管 | 第21-24页 |
| ·单电子晶体管的制备技术 | 第24-27页 |
| ·研究意义和研究内容 | 第27-29页 |
| 第二章 有序介孔二氧化硅薄膜的制备及其功能化 | 第29-38页 |
| ·有序介孔二氧化硅薄膜的制备 | 第29-34页 |
| ·有序介孔二氧化硅薄膜简介 | 第29-32页 |
| ·基片准备 | 第32-33页 |
| ·介孔二氧化硅薄膜的制备 | 第33-34页 |
| ·氨基功能化介孔二氧化硅薄膜的制备 | 第34-36页 |
| ·介孔二氧化硅薄膜的功能化 | 第34-35页 |
| ·氨基功能化介孔二氧化硅薄膜的制备 | 第35-36页 |
| ·氨基功能化介孔二氧化硅薄膜的表征 | 第36-37页 |
| ·HRTEM 图像 | 第36页 |
| ·FT-IR 光谱分析 | 第36-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 第三章 量子点的组装、单电子晶体管的制备与电学特性测试 | 第38-48页 |
| ·氨基功能化介孔二氧化硅薄膜组装量子点 | 第38-40页 |
| ·理论基础与实验方法 | 第38-39页 |
| ·反应时间对组装金量子点的影响 | 第39-40页 |
| ·单电子晶体管的制备 | 第40-45页 |
| ·有序介孔薄膜单电子晶体管(OMTF-SET)的结构设计 | 第40-42页 |
| ·有序介孔薄膜单电子晶体管(OMTF-SET)的制备 | 第42-45页 |
| ·OMTF-SET 的电学特性测试与分析 | 第45-47页 |
| ·OMTF-SET 的电学特性测试 | 第45-46页 |
| ·OMTF-SET 的库仑台阶效应分析 | 第46-47页 |
| ·小结 | 第47-48页 |
| 第四章 基于实验数据的宏模型改进 | 第48-55页 |
| ·单电子晶体管的模拟方法 | 第48-51页 |
| ·主方程法 | 第49页 |
| ·蒙特卡罗法 | 第49-50页 |
| ·基于 SPICE 的模拟方法 | 第50-51页 |
| ·基于 OMTF-SET 测试结果对宏模型的改进 | 第51-54页 |
| ·无栅压情况下的源漏特性模拟 | 第51-53页 |
| ·栅控特性模拟 | 第53-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 第五章 结论和对后续工作的展望 | 第55-57页 |
| ·结论 | 第55页 |
| ·未来工作展望 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第64页 |
