| 中文摘要 | 第5-7页 |
| 英文摘要 | 第7-11页 |
| 第一章前言 | 第11-23页 |
| 1.1光催化去除环境污染物 | 第11-12页 |
| 1.1.1常见水体污染物 | 第11页 |
| 1.1.2半导体光催化原理 | 第11-12页 |
| 1.2提高半导体光催化剂性能的策略 | 第12-15页 |
| 1.2.1半导体异质结 | 第12-14页 |
| 1.2.2半导体表面沉积贵金属 | 第14页 |
| 1.2.3金属离子掺杂 | 第14-15页 |
| 1.2.4半导体的光敏化 | 第15页 |
| 1.3去除水污染物光催化剂的研究进展 | 第15-18页 |
| 1.3.1硫化物光催化剂的研究进展 | 第15-16页 |
| 1.3.2氧化物光催化剂的研究进展 | 第16-18页 |
| 1.4多金属氧酸盐 | 第18-21页 |
| 1.4.1多金属氧酸盐的性质和结构 | 第18-19页 |
| 1.4.2多金属氧酸盐在光催化方面的应用 | 第19-21页 |
| 1.5选题依据及目的 | 第21-23页 |
| 第二章多酸/CdSn-n型异质结光催化剂的制备与光催化还原Cr（VI） | 第23-37页 |
| 2.1引言 | 第23-24页 |
| 2.2实验部分 | 第24-25页 |
| 2.2.1实验试剂和仪器 | 第24-25页 |
| 2.2.2CdS/P2MoxW18-x（X=3,9,15）材料的制备 | 第25页 |
| 2.3结果与讨论 | 第25-36页 |
| 2.3.1红外光谱测试 | 第25-26页 |
| 2.3.2UV-Vis结果分析 | 第26-28页 |
| 2.3.3Mott-Schottky曲线及能带结构分析 | 第28-29页 |
| 2.3.4XRD结果分析 | 第29-30页 |
| 2.3.5扫描电子显微镜表征 | 第30页 |
| 2.3.6SPS测试和PL测试表征 | 第30-31页 |
| 2.3.7光电测试表征 | 第31-33页 |
| 2.3.8光催化还原Cr（VI） | 第33-36页 |
| 2.4本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章多酸/CuInS2p-n型异质结光催化剂的制备与光催化降解四环素 | 第37-45页 |
| 3.1引言 | 第37页 |
| 3.2实验部分 | 第37-38页 |
| 3.2.1实验试剂和仪器 | 第37-38页 |
| 3.2.2CuInS2/Ag3PW12O40和CuInS2/Ag3PMo6W6O40材料的制备 | 第38页 |
| 3.3结果与讨论 | 第38-44页 |
| 3.3.1红外光谱测试 | 第38-39页 |
| 3.3.2Mott-Schottky曲线分析 | 第39-40页 |
| 3.3.3I-t曲线测试 | 第40-41页 |
| 3.3.4I-V曲线测试 | 第41页 |
| 3.3.5EIS测试 | 第41-42页 |
| 3.3.6PL测试表征 | 第42-43页 |
| 3.3.7光催化降解四环素 | 第43-44页 |
| 3.4本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章多酸/NiOp-n型异质结光催化剂的制备与光催化降解左氧氟沙星 | 第45-53页 |
| 4.1引言 | 第45-46页 |
| 4.2实验部分 | 第46页 |
| 4.2.1实验试剂和仪器 | 第46页 |
| 4.2.2NiO/Ag3PW12O40和NiO/Ag3PMo6W6O40材料的制备 | 第46页 |
| 4.3结果与讨论 | 第46-52页 |
| 4.3.1红外光谱测试 | 第46-47页 |
| 4.3.2Mott-Schottky曲线分析 | 第47-48页 |
| 4.3.3I-t曲线测试 | 第48-49页 |
| 4.3.4I-V曲线测试 | 第49页 |
| 4.3.5EIS测试 | 第49-50页 |
| 4.3.6PL测试表征 | 第50-51页 |
| 4.3.7光催化降解左氧氟沙星 | 第51-52页 |
| 4.4本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 在学期间公开发表论文及著作情况 | 第67页 |
