| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第1章 前言 | 第8-15页 |
| ·选题背景 | 第8-9页 |
| ·几种残余应力产生机制 | 第9-10页 |
| ·Thomas-Fermi-Dirac-Cheng (TFDC)电子理论 | 第10-13页 |
| ·课题来源、研究目的及主要研究内容 | 第13-15页 |
| ·主要研究内容 | 第13-14页 |
| ·技术路线 | 第14-15页 |
| 第2章 实验材料及方法 | 第15-21页 |
| ·实验材料 | 第15页 |
| ·实验原理及方法 | 第15-21页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第15-16页 |
| ·薄膜残余应力的测量 | 第16-19页 |
| ·薄膜残余应力计算方法 | 第19-21页 |
| 第3章 电沉积薄膜工艺的研究 | 第21-28页 |
| ·电沉积Cu 工艺的研究 | 第21-22页 |
| ·电沉积Ni 工艺的研究 | 第22-24页 |
| ·电沉积Cr 工艺的研究 | 第24-26页 |
| ·本章小结 | 第26-28页 |
| 第4章 薄膜残余应力计算与分析 | 第28-40页 |
| ·薄膜残余应力的计算 | 第28-35页 |
| ·碳素钢基体上的Cu、Ni 薄膜的残余应力 | 第28-30页 |
| ·工业纯铁基体上的Ni、Cr 薄膜的残余应力 | 第30-32页 |
| ·纯Ni、Cu 基体上的Cu、Ni 薄膜的残余应力 | 第32-35页 |
| ·薄膜残余应力的分析 | 第35-38页 |
| ·界面应力产生机制 | 第35-36页 |
| ·薄膜残余应力的分析 | 第36-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第5章 Cu/Ni 多层膜制备及其力学性能 | 第40-45页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·Cu/Ni 多层膜的制备 | 第40-41页 |
| ·Cu/Ni 多层膜的微观组织和硬度测试 | 第41-45页 |
| ·Cu/Ni 多层膜的组织形貌 | 第41-43页 |
| ·Cu/Ni 的硬度 | 第43-45页 |
| 第6章 结论 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-50页 |
| 附录A 实验仪器与设备 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第52页 |