压接型IGBT器件内部电—热—力多物理场耦合模型研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第15-29页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第15-17页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第17-25页 |
| 1.2.1 IGBT封装形式 | 第18-22页 |
| 1.2.2 IGBT多物理场耦合模型研究 | 第22-25页 |
| 1.2.3 小结 | 第25页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第25-29页 |
| 第2章 压接型IGBT器件结构场模型 | 第29-49页 |
| 2.1 引言 | 第29页 |
| 2.2 结构场模型的建立 | 第29-46页 |
| 2.2.1 结构力学理论 | 第29-30页 |
| 2.2.2 器件的应用工况 | 第30-31页 |
| 2.2.3 结构场有限元分析模型 | 第31-32页 |
| 2.2.4 各因素对压力分布的影响 | 第32-46页 |
| 2.3 实验验证 | 第46-48页 |
| 2.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第3章 压接型IGBT器件结构场与温度场的耦合 | 第49-77页 |
| 3.1 引言 | 第49-50页 |
| 3.2 数学描述 | 第50-53页 |
| 3.2.1 微接触热导 | 第51-53页 |
| 3.2.2 空隙接触热导 | 第53页 |
| 3.3 接触热阻的数值计算 | 第53-59页 |
| 3.3.1 有限元模型 | 第53-55页 |
| 3.3.2 结果分析 | 第55-59页 |
| 3.4 接触热阻的实验测量 | 第59-75页 |
| 3.4.1 间接热电偶法 | 第61-67页 |
| 3.4.2 结构函数法 | 第67-75页 |
| 3.5 本章小结 | 第75-77页 |
| 第4章 单个子模组多物理场耦合模型 | 第77-98页 |
| 4.1 引言 | 第77-78页 |
| 4.2 电热耦合分析模型 | 第78-85页 |
| 4.2.1 功率损耗模型 | 第78-82页 |
| 4.2.2 Cauer热网络模型 | 第82-85页 |
| 4.3 电-热-力多物理场直接双向耦合分析模型 | 第85-90页 |
| 4.3.1 电-热-力多物理场场路耦合模型 | 第86-88页 |
| 4.3.2 电-热-力多物理场三维耦合模型 | 第88-90页 |
| 4.4 实验验证 | 第90-97页 |
| 4.4.1 热电偶法 | 第91-93页 |
| 4.4.2 瞬态双界面法 | 第93-97页 |
| 4.5 本章小结 | 第97-98页 |
| 第5章 压接型IGBT器件多物理场三维耦合模型 | 第98-115页 |
| 5.1 引言 | 第98页 |
| 5.2 电-热-力多物理场三维耦合模型 | 第98-105页 |
| 5.2.1 耦合变量 | 第99-104页 |
| 5.2.2 边界条件 | 第104-105页 |
| 5.3 器件内部多物理量的分析 | 第105-114页 |
| 5.3.1 有限元结果分析 | 第105-109页 |
| 5.3.2 压力分布测试 | 第109-112页 |
| 5.3.3 优化方案 | 第112-114页 |
| 5.4 本章小结 | 第114-115页 |
| 第6章 压接型IGBT器件多物理场场路耦合模型 | 第115-132页 |
| 6.1 引言 | 第115页 |
| 6.2 建模方法 | 第115-119页 |
| 6.2.1 应用工况 | 第115-118页 |
| 6.2.2 建模思路 | 第118-119页 |
| 6.3 电-热-力多物理场场路耦合模型 | 第119-124页 |
| 6.3.1 一维电热耦合电路模型 | 第120-123页 |
| 6.3.2 电-热-力多物理场场路耦合模型 | 第123-124页 |
| 6.4 有限元结果分析 | 第124-131页 |
| 6.4.1 常规工况 | 第124-127页 |
| 6.4.2 极端工况 | 第127-131页 |
| 6.5 本章小结 | 第131-132页 |
| 第7章 结论与展望 | 第132-134页 |
| 参考文献 | 第134-142页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第142-146页 |
| 攻读博士学位期间参加的科研工作 | 第146-147页 |
| 致谢 | 第147-149页 |
| 作者简介 | 第149页 |
