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双断口真空断路器磁偏弧特性仿真与试验研究

摘要第2-4页
Abstract第4-5页
1 绪论第8-16页
    1.1 研究背景与意义第8页
    1.2 磁偏弧概述第8-11页
    1.3 国内外相关研究现状与分析第11-14页
    1.4 论文主要研究内容第14-16页
2 磁偏弧影响机理分析第16-23页
    2.1 引言第16页
    2.2 真空电弧的特点第16-18页
    2.3 真空电弧与触头磁场作用机理第18-20页
    2.4 真空电弧与横向磁场作用机理第20-22页
        2.4.1 扩散型真空电弧与TMF作用机理第20-22页
        2.4.2 弧柱型真空电弧与TMF作用机理第22页
    2.5 本章小结第22-23页
3 双断口真空断路器磁场仿真及偏磁场影响分析第23-39页
    3.1 磁场仿真软件概述第23-24页
    3.2 不同磁场触头灭弧室磁场分布分析第24-30页
        3.2.1 纵吹触头灭弧室磁场分布分析第25-28页
        3.2.2 横吹触头灭弧室磁场分布分析第28-30页
    3.3 双断口真空断路器磁场分布第30-33页
    3.4 双断口真空断路器偏磁场影响分析第33-38页
        3.4.1 主副灭弧室中心距离对偏磁场影响分析第33-35页
        3.4.2 不同布置方式对偏磁场影响分析第35-36页
        3.4.3 安装磁屏蔽罩后偏磁场影响分析第36-38页
    3.5 本章小结第38-39页
4 亥姆霍兹磁场线圈系统设计第39-47页
    4.1 引言第39页
    4.2 亥姆霍兹线圈的原理与设计第39-44页
        4.2.1 磁场线圈的原理第39-41页
        4.2.2 磁场线圈的仿真分析第41-43页
        4.2.3 磁场线圈的性能测试第43-44页
    4.3 磁场的标定试验第44-46页
    4.4 本章小结第46-47页
5 不同磁场触头下的磁偏弧试验研究第47-58页
    5.1 引言第47页
    5.2 试验平台的设计第47-51页
        5.2.1 试验主回路分析第48-50页
        5.2.2 试验触头及试验平台搭建第50-51页
    5.3 纵磁触头下磁偏弧对电弧发展及电弧电压的影响第51-54页
        5.3.1 无偏磁场时电弧的影响情况第52-53页
        5.3.2 偏磁场作用时电弧的影响情况第53-54页
    5.4 横磁触头下磁偏弧对电弧发展及电弧电压的影响第54-56页
        5.4.1 无偏磁场时电弧的影响情况第54-55页
        5.4.2 偏磁场作用时电弧的影响情况第55-56页
    5.5 试验后磁偏弧对不同触头影响研究对比第56-57页
    5.6 本章小结第57-58页
6 结论与展望第58-60页
    6.1 结论第58-59页
    6.2 展望第59-60页
参考文献第60-63页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第63-64页
致谢第64-66页

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