| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 光互连的研究意义及现状 | 第11-12页 |
| 1.2 硅基光子学的研究意义及现状 | 第12-14页 |
| 1.3 硅基光电探测器的研究现状及关键问题 | 第14-17页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第17-19页 |
| 2 硅基光电探测器的理论基础 | 第19-29页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 光电探测器的基本理论 | 第19-22页 |
| 2.3 光电探测器的主要性能指标 | 第22-24页 |
| 2.4 光电探测器带宽影响因素分析 | 第24-27页 |
| 2.5 光电探测器功率影响因素分析 | 第27-28页 |
| 2.6 本章小结 | 第28-29页 |
| 3 硅基光电探测器的设计、制作和测试 | 第29-42页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 硅基锗PIN光电探测器的设计和制作 | 第29-34页 |
| 3.3 硅基砷化镓MSM光电探测器的设计和制作 | 第34-39页 |
| 3.4 硅基光电探测器的测试 | 第39-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-42页 |
| 4 硅基锗光电探测器 | 第42-65页 |
| 4.1 引言 | 第42页 |
| 4.2 高速硅基锗PIN光电探测器 | 第42-55页 |
| 4.3 高功率硅基锗PIN光电探测器 | 第55-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 5 硅基砷化镓光电探测器 | 第65-77页 |
| 5.1 引言 | 第65页 |
| 5.2 高速硅基砷化镓MSM光电探测器 | 第65-74页 |
| 5.3 基于转运压印技术的砷化镓光接收机 | 第74-76页 |
| 5.4 本章小结 | 第76-77页 |
| 6 硅基光电探测器在多维复用光互连中的应用 | 第77-109页 |
| 6.1 引言 | 第77页 |
| 6.2 偏振复用信号直接探测光接收系统 | 第77-83页 |
| 6.3 基于硅基光电探测器的单片集成模式复用光互连系统 | 第83-92页 |
| 6.4 基于硅基光电探测器的单片集成偏振复用光互连系统 | 第92-99页 |
| 6.5 基于硅基光电探测器的单片集成监视器 | 第99-108页 |
| 6.6 本章小结 | 第108-109页 |
| 7 总结与展望 | 第109-112页 |
| 致谢 | 第112-114页 |
| 参考文献 | 第114-130页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表论文目录 | 第130-133页 |
| 附录2 攻读博士学位期间所获专利奖项 | 第133-134页 |
| 附录3 英文缩写简表 | 第134-138页 |