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纳米间隙沟道器件制备及其电子输运机理研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第11-41页
    1.1 引言第11-12页
    1.2 纳米间隙第12-17页
        1.2.1 纳米间隙的概念及由来第12-15页
        1.2.2 电子发射公式第15-16页
        1.2.3 平均自由程第16页
        1.2.4 发射极材料和形貌第16-17页
    1.3 纳米间隙制备工艺第17-25页
        1.3.1 电子束光刻(electron beam lithography,EBL)第18-20页
        1.3.2 聚焦离子束刻蚀(focus ion beam,FIB)第20-22页
        1.3.3 机械断裂法(mechanical break junctions)第22-23页
        1.3.4 电子迁移法(Electromigration)第23-24页
        1.3.5 电化学沉积(Electrochemical Deposition)第24-25页
    1.4 纳米间隙晶体管的结构分类第25-32页
        1.4.1 平面型纳米间隙结构第26-29页
        1.4.2 垂直型纳米间隙结构第29-32页
    1.5 纳米间隙器件结构的应用第32-38页
        1.5.1 纳米间隙结构在太赫兹技术中的应用第32-34页
        1.5.2 纳米间隙结构在高速存储器中的应用第34-35页
        1.5.3 纳米间隙结构在生物分子检测中的应用第35-37页
        1.5.4 纳米间隙结构在极端环境(高温、辐射)中的应用第37-38页
    1.6 本论文的研究目的与基本内容第38-41页
第二章 金真空纳米间隙阵列的制备和电子发射特性研究第41-55页
    2.1 引言第41-42页
    2.2 金真空纳米间隙阵列制备及工艺第42-45页
    2.3 金真空纳米间隙阵列表征第45-47页
    2.4 金真空纳米间隙阵列的场发射性能测试第47-51页
    2.5 理论分析第51-53页
    2.6 本章小结第53-55页
第三章 侧栅极纳米间隙结构制备和频率特性研究第55-68页
    3.1 引言第55-56页
    3.2 器件制备和表征第56-58页
    3.3 电学性能测试第58-61页
    3.4 纳米间隙结构设计和频响特性模拟研究第61-67页
        3.4.1 纳米间隙结构电磁仿真基础第61-62页
        3.4.2 理论推导第62-64页
        3.4.3 频响特性模拟计算第64-67页
    3.5 本章小结第67-68页
第四章 石墨烯原位场致电子发射特性研究第68-87页
    4.1 引言第68-69页
    4.2 悬空石墨烯和叉指电极复合结构第69-79页
        4.2.1 湿法转移悬空石墨烯第69-71页
        4.2.2 样品表征第71-73页
        4.2.3 原位场发射特性研究第73-79页
    4.3 金纳米颗粒修饰的石墨烯薄膜第79-86页
        4.3.1 金纳米颗粒修饰的石墨烯薄膜制备第79-80页
        4.3.2 金纳米颗粒-石墨烯复合纳米结构的表征第80-82页
        4.3.3 原位场发射特性研究和讨论第82-86页
    4.4 本章小结第86-87页
第五章 基于石墨烯的纳米间隙沟道晶体管第87-109页
    5.1 引言第87-88页
    5.2 石墨烯的电子结构与输运特性第88-90页
    5.3 石墨烯的制备与转移第90-94页
    5.4 垂直型石墨烯纳米间隙沟道器件第94-103页
        5.4.1 基于石墨烯的纳米间隙隧穿晶体管的结构与原理第94-96页
        5.4.2 垂直型石墨烯异质结晶体管的制备和工艺优化第96-101页
        5.4.3 垂直型石墨烯异质结晶体管的性能测试和讨论第101-103页
    5.5 平面型石墨烯纳米间隙沟道器件第103-107页
    5.6 本章小结第107-109页
第六章 总结和展望第109-114页
    6.1 总结第109-112页
    6.2 展望第112-114页
参考文献第114-126页
致谢第126-127页
作者简介第127-128页

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