中文摘要 | 第4-5页 |
英文摘要 | 第5页 |
第一章 绪论 | 第8-16页 |
1.1 引言 | 第8页 |
1.2 常用紫外探测器结构 | 第8-11页 |
1.3 Ga_2O_3基紫外探测器 | 第11-14页 |
1.3.1 Ga_2O_3材料的基本性质 | 第11-12页 |
1.3.2 Ga_2O_3基紫外探测器的研究进展 | 第12-14页 |
1.4 本论文的选题依据及主要研究内容 | 第14-16页 |
第二章 实验设备及测试方法 | 第16-21页 |
2.1 热蒸发镀膜机 | 第16-17页 |
2.2 吉时利2461数字源表 | 第17页 |
2.3 keysight/是德(安捷伦)DSOS404A示波器 | 第17-18页 |
2.4 卓立汉光SBP500单色仪 | 第18页 |
2.5 X射线衍射(XRD) | 第18-19页 |
2.6 拉曼散射光谱(Raman) | 第19-21页 |
第三章 石墨烯/β-Ga_2O_3(100)日盲紫外探测器制备与研究 | 第21-36页 |
3.1 引言 | 第21页 |
3.2 石墨烯/β-Ga_2O_3(100)紫外探测器器件的制备 | 第21-23页 |
3.2.1 铜基石墨烯的转移 | 第21-22页 |
3.2.2 (100)晶面的β-Ga_2O_3单晶薄片的制备 | 第22页 |
3.2.3 热蒸发镀电极并组成器件 | 第22-23页 |
3.3 石墨烯/β-Ga_2O_3(100)紫外探测器的表征 | 第23-25页 |
3.3.1 XRD衍射测试 | 第23-24页 |
3.3.2 石墨烯的拉曼光谱测试 | 第24-25页 |
3.4 石墨烯/β-Ga_2O_3(100)紫外探测器的结构图 | 第25页 |
3.5 石墨烯/β-Ga_2O_3(100)紫外探测器的性能测试 | 第25-34页 |
3.5.1 IV测试 | 第25-27页 |
3.5.2 响应度 | 第27-28页 |
3.5.3 电压和光功率强度对响应度的影响 | 第28-29页 |
3.5.4 电压和光强对量子效率的影响 | 第29-30页 |
3.5.5 响应速度测试 | 第30-31页 |
3.5.6 石墨烯/β-Ga_2O_3(100)肖特基结器件的探测率 | 第31页 |
3.5.7 稳定性测试 | 第31-32页 |
3.5.8 激光能量密度对探测器下降速度的影响 | 第32-34页 |
3.6 石墨烯/β-Ga_2O_3(100)器件运行的原理及分析 | 第34-35页 |
3.7 本章小结 | 第35-36页 |
第四章 Au/β-Ga_2O_3(-201)日盲紫外探测器制备及性质研究 | 第36-43页 |
4.1 引言 | 第36页 |
4.2 Au/β-Ga_2O_3(-201)紫外探测器器件的制备 | 第36-37页 |
4.3 Au/β-Ga_2O_3(-201)紫外探测器的性能测试 | 第37-41页 |
4.3.1 XRD测试 | 第37页 |
4.3.2 IV测试 | 第37-38页 |
4.3.3 响应度 | 第38-40页 |
4.3.4 量子效率测试 | 第40页 |
4.3.5 响应速度测试 | 第40-41页 |
4.4 Au/β-Ga_2O_3(-201)探测器原理分析 | 第41-42页 |
4.5 本章小结 | 第42-43页 |
第五章 结论与展望 | 第43-45页 |
5.1 结论 | 第43-44页 |
5.2 展望 | 第44-45页 |
参考文献 | 第45-51页 |
致谢 | 第51-52页 |
攻读学位期间发表的学术论文 | 第52页 |