摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-9页 |
第1章 绪论 | 第13-33页 |
1.1 研究背景及意义 | 第13-15页 |
1.1.1 研究背景 | 第13-15页 |
1.1.2 OFETs结构多功能光电器件的研究意义 | 第15页 |
1.2 场效应晶体管结构有机光电器件的研究进展 | 第15-29页 |
1.2.1 有机光敏场效应晶体管 | 第15-20页 |
1.2.2 有机发光场效应晶体管 | 第20-25页 |
1.2.3 有机红外-可见光上转换发光器件 | 第25-29页 |
1.3 场效应晶体管结构有机光电器件面临的主要问题 | 第29-30页 |
1.4 本论文的研究内容及创新点 | 第30-33页 |
第2章 场效应晶体管结构有机光电器件的物理基础 | 第33-51页 |
2.1 有机场效应晶体管 | 第33-39页 |
2.1.1 有机场效应晶体管的结构 | 第33-34页 |
2.1.2 有机场效应晶体管的工作原理 | 第34-36页 |
2.1.3 有机场效应晶体管的性能参数 | 第36-39页 |
2.2 有机发光场效应晶体管 | 第39-42页 |
2.2.1 有机发光场效应晶体管的结构及工作原理 | 第40-42页 |
2.2.2 有机发光场效应晶体管的性能参数 | 第42页 |
2.3 有机光敏场效应晶体管 | 第42-46页 |
2.3.1 有机光敏场效应晶体管的结构及工作原理 | 第42-45页 |
2.3.2 有机光敏场效应晶体管的性能参数 | 第45-46页 |
2.4 近红外-可见光上转换有机场效应晶体管光电器件 | 第46-49页 |
2.4.1 近红外-可见光上转换有机光电器件的结构及工作原理 | 第46-49页 |
2.4.2 上转换有机光电器件的性能参数 | 第49页 |
2.5 本章小结 | 第49-51页 |
第3章 基于NPB光敏层的光敏有机发光场效应晶体管 | 第51-71页 |
3.1 引言 | 第51-52页 |
3.2 器件的制备工艺及测试表征 | 第52-55页 |
3.2.1 器件的制备工艺 | 第53-54页 |
3.2.2 器件的测试表征 | 第54-55页 |
3.3 器件的光响应特性 | 第55-64页 |
3.3.1 有源层材料的光吸收特性分析 | 第55-56页 |
3.3.2 器件光响应模式下的工作机理 | 第56-57页 |
3.3.3 器件的光响应特性分析 | 第57-64页 |
3.4 器件的光发射特性 | 第64-67页 |
3.4.1 器件发光模式下的工作机理及基本特性 | 第64-65页 |
3.4.2 20nmNPB层器件的发光特性 | 第65-66页 |
3.4.3 NPB厚度对发光特性的影响 | 第66-67页 |
3.5 光照对器件光发射特性的影响 | 第67-69页 |
3.6 本章小结 | 第69-71页 |
第4章 近红外到可见光上转换有机发光场效应晶体管的研制.. | 第71-91页 |
4.1 引言 | 第71-72页 |
4.2 器件的制备工艺及测试表征 | 第72-73页 |
4.2.1 器件的制备工艺 | 第72-73页 |
4.2.2 器件的测试表征 | 第73页 |
4.3 VOPc近红外光敏层的诱导生长 | 第73-77页 |
4.4 器件的光电转换特性分析 | 第77-84页 |
4.4.1 器件的上转换工作机理 | 第77-79页 |
4.4.2 不同条件下器件的光电转换特性 | 第79-83页 |
4.4.3 器件的波长响应特性 | 第83-84页 |
4.4.4 器件的响应速率特性 | 第84页 |
4.5 器件的上转换发光特性 | 第84-90页 |
4.6 本章小结 | 第90-91页 |
第5章 有机场效应晶体管结构红外光电探测器的设计 | 第91-105页 |
5.1 引言 | 第91页 |
5.2 器件的制备工艺及测试表征 | 第91-93页 |
5.2.1 器件的制备工艺 | 第92页 |
5.2.2 器件的测试表征 | 第92-93页 |
5.3 通信波段光敏层的构建 | 第93-96页 |
5.3.1 体异质结光敏层中载流子的运动过程 | 第93-94页 |
5.3.2 不同组分体异质结的吸收光谱 | 第94-96页 |
5.4 近红外通信波段光电探测器的光电特性 | 第96-102页 |
5.5 本章小结 | 第102-105页 |
第6章 总结与展望 | 第105-109页 |
6.1 全文总结 | 第105-106页 |
6.2 研究展望 | 第106-109页 |
参考文献 | 第109-123页 |
致谢 | 第123-125页 |
作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第125页 |