硅晶圆的切割工艺研究
| 中文摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4页 |
| 第1章 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第8页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第8-11页 |
| 1.3 本论文研究目的与研究内容 | 第11-12页 |
| 第2章 激光切割技术介绍 | 第12-18页 |
| 2.1 激光切割系统 | 第12页 |
| 2.2 隐形切割技术介绍 | 第12-13页 |
| 2.3 消融切割技术介绍 | 第13-15页 |
| 2.4 激光传输及聚焦光斑计算 | 第15页 |
| 2.5 硅材料中焦点位置分析 | 第15-16页 |
| 2.6 激光切割质量评价 | 第16-17页 |
| 2.7 本章小结 | 第17-18页 |
| 第3章 硅晶圆隐形切割工艺实验 | 第18-27页 |
| 3.1 硅材料及芯片介绍 | 第18-19页 |
| 3.2 试验检测设备 | 第19页 |
| 3.3 隐形切割设备介绍 | 第19-21页 |
| 3.3.1 隐形切割流程 | 第20-21页 |
| 3.4 隐形切割的工艺参数分析 | 第21-26页 |
| 3.4.1 激光功率的影响 | 第21-22页 |
| 3.4.2 激光频率、速度、光斑重叠率的影响 | 第22页 |
| 3.4.3 焦点位置的影响 | 第22-24页 |
| 3.4.4 加工次数与厚度的关系 | 第24-26页 |
| 3.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第4章 硅晶圆消融切割工艺实验 | 第27-36页 |
| 4.1 硅消融切割设备介绍 | 第27-28页 |
| 4.1.1 消融切割流程 | 第27-28页 |
| 4.2 消融切割的工艺参数分析 | 第28-33页 |
| 4.2.1 激光功率的影响 | 第28-29页 |
| 4.2.2 激光频率、速度、光斑重叠率的影响 | 第29-30页 |
| 4.2.3 焦点位置的影响 | 第30-31页 |
| 4.2.4 加工次数与厚度的关系 | 第31-33页 |
| 4.3 硅片结构对工艺方法的影响 | 第33-35页 |
| 4.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第5章 总结和展望 | 第36-38页 |
| 5.1 总结 | 第36-37页 |
| 5.2 展望 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-40页 |
| 附录 | 第40-41页 |
| 攻读硕士期间申请的专利 | 第40-41页 |
| 致谢 | 第41-42页 |
