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紫外脉冲激光原位辐照Ga滴表面的研究

中文摘要第5-6页
abstract第6-7页
第一章 绪论第10-21页
    1.1 低维半导体材料第10-14页
        1.1.1 引言第10-11页
        1.1.2 超晶格和量子阱第11-13页
        1.1.3 量子线、量子点和量子环第13-14页
    1.2 金属液滴的制备第14-17页
        1.2.1 真空系统高温退火第15-16页
        1.2.2 聚焦离子束诱导第16页
        1.2.3 真空系统直接沉积第16-17页
    1.3 金属液滴的应用第17-19页
        1.3.1 液滴外延技术第17-18页
        1.3.2 自催化纳米线第18-19页
        1.3.3 纳米自钻孔第19页
    1.4 论文的研究意义与研究内容第19-21页
第二章 实验技术与研究基础第21-38页
    2.1 分子束外延技术第21-27页
        2.1.1 MBE的技术特点第24-25页
        2.1.2 MBE的系统构成第25-27页
    2.2 高能反射电子衍射仪(RHEED)第27-29页
        2.2.1 RHEED工作原理第27-28页
        2.2.2 RHEED强度振荡第28-29页
    2.3 光路系统的优化第29-31页
    2.4 原子力显微镜(AFM)第31-33页
        2.4.1 AFM工作原理第31-32页
        2.4.2 AFM工作模式第32-33页
    2.5 研究基础第33-36页
        2.5.1 液滴形成及其因素第33-34页
        2.5.2 液滴与表面再构第34-36页
    2.6 本章小结第36-38页
第三章 激光原位辐照高密度Ga滴表面第38-50页
    3.1 引言第38页
    3.2 基于高密度Ga滴表面的激光辐照实验第38-40页
    3.3 实验统计结果第40-42页
    3.4 原理分析与讨论第42-48页
    3.5 本章小结第48-50页
第四章 激光原位辐照低密度Ga滴表面第50-59页
    4.1 引言第50页
    4.2 基于低密度Ga滴表面的激光辐照实验第50-55页
        4.2.1 样品生长第50-51页
        4.2.2 实验结果与分析第51-55页
    4.3 Ga滴的原位退火实验第55-58页
        4.3.1 样品生长第55-56页
        4.3.2 实验结果与分析第56-58页
    4.4 本章小结第58-59页
第五章 总结和展望第59-61页
    5.1 内容总结第59-60页
    5.2 研究展望第60-61页
参考文献第61-68页
攻读学位期间取得的学术成果第68-69页
致谢第69-70页

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