紫外脉冲激光原位辐照Ga滴表面的研究
| 中文摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 低维半导体材料 | 第10-14页 |
| 1.1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.1.2 超晶格和量子阱 | 第11-13页 |
| 1.1.3 量子线、量子点和量子环 | 第13-14页 |
| 1.2 金属液滴的制备 | 第14-17页 |
| 1.2.1 真空系统高温退火 | 第15-16页 |
| 1.2.2 聚焦离子束诱导 | 第16页 |
| 1.2.3 真空系统直接沉积 | 第16-17页 |
| 1.3 金属液滴的应用 | 第17-19页 |
| 1.3.1 液滴外延技术 | 第17-18页 |
| 1.3.2 自催化纳米线 | 第18-19页 |
| 1.3.3 纳米自钻孔 | 第19页 |
| 1.4 论文的研究意义与研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 实验技术与研究基础 | 第21-38页 |
| 2.1 分子束外延技术 | 第21-27页 |
| 2.1.1 MBE的技术特点 | 第24-25页 |
| 2.1.2 MBE的系统构成 | 第25-27页 |
| 2.2 高能反射电子衍射仪(RHEED) | 第27-29页 |
| 2.2.1 RHEED工作原理 | 第27-28页 |
| 2.2.2 RHEED强度振荡 | 第28-29页 |
| 2.3 光路系统的优化 | 第29-31页 |
| 2.4 原子力显微镜(AFM) | 第31-33页 |
| 2.4.1 AFM工作原理 | 第31-32页 |
| 2.4.2 AFM工作模式 | 第32-33页 |
| 2.5 研究基础 | 第33-36页 |
| 2.5.1 液滴形成及其因素 | 第33-34页 |
| 2.5.2 液滴与表面再构 | 第34-36页 |
| 2.6 本章小结 | 第36-38页 |
| 第三章 激光原位辐照高密度Ga滴表面 | 第38-50页 |
| 3.1 引言 | 第38页 |
| 3.2 基于高密度Ga滴表面的激光辐照实验 | 第38-40页 |
| 3.3 实验统计结果 | 第40-42页 |
| 3.4 原理分析与讨论 | 第42-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 激光原位辐照低密度Ga滴表面 | 第50-59页 |
| 4.1 引言 | 第50页 |
| 4.2 基于低密度Ga滴表面的激光辐照实验 | 第50-55页 |
| 4.2.1 样品生长 | 第50-51页 |
| 4.2.2 实验结果与分析 | 第51-55页 |
| 4.3 Ga滴的原位退火实验 | 第55-58页 |
| 4.3.1 样品生长 | 第55-56页 |
| 4.3.2 实验结果与分析 | 第56-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 总结和展望 | 第59-61页 |
| 5.1 内容总结 | 第59-60页 |
| 5.2 研究展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-68页 |
| 攻读学位期间取得的学术成果 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
