| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 引言 | 第8-10页 |
| 1 绪论 | 第10-18页 |
| ·ZnO的结构和性能 | 第10-14页 |
| ·ZnO的晶体结构和基本性质 | 第10-13页 |
| ·ZnO的电学性能 | 第13页 |
| ·ZnO的压电性能 | 第13-14页 |
| ·ZnO的受激发射 | 第14页 |
| ·ZnO的气敏性能 | 第14页 |
| ·ZnO的应用 | 第14-18页 |
| ·ZnO基发光器件 | 第14-15页 |
| ·紫外探测器 | 第15-16页 |
| ·透明电极 | 第16页 |
| ·压电器件 | 第16页 |
| ·场效应晶体管 | 第16-17页 |
| ·其他应用 | 第17-18页 |
| 2 ZnO薄膜的制备方法及表征技术 | 第18-30页 |
| ·ZnO的制备方法 | 第18-22页 |
| ·磁控溅射(Sputtering) | 第18-20页 |
| ·金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第20页 |
| ·激光脉冲沉积(PLD) | 第20-21页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第21-22页 |
| ·超声喷雾热分解法(SP) | 第22页 |
| ·ZnO的表征技术 | 第22-30页 |
| ·X射线衍射 | 第22-24页 |
| ·霍尔测试 | 第24-27页 |
| ·原子力显微镜 | 第27-29页 |
| ·透射-反射谱 | 第29-30页 |
| 3 生长和退火温度对磁控溅射法制备的ZnO薄膜性质的影响 | 第30-39页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·实验 | 第30-33页 |
| ·结果与讨论 | 第33-39页 |
| ·生长温度对磁控溅射法制备的ZnO薄膜性质的影响 | 第33-35页 |
| ·退火温度对磁控溅射法制备的ZnO薄膜性质的影响 | 第35-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| 结论 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-44页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第44-45页 |
| 致谢 | 第45-47页 |