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铪铝氧化物复合绝缘介质薄膜及高迁移率锌铟锡氧化物薄膜晶体管的研究

摘要第6-8页
ABSTRACT第8-9页
第一章 绪论第13-26页
    1.1 引言第13-14页
    1.2 薄膜晶体管第14-16页
        1.2.1 TFT器件结构第14-15页
        1.2.2 TFT器件工作原理第15-16页
    1.3 TFT的制备方法第16-18页
    1.4 溶液法制备TFT的现状第18-24页
        1.4.1 溶液法制备TFT绝缘层的现状第18-21页
        1.4.2 溶液法制备TFT有源层的现状第21-24页
    1.5 课题来源第24页
    1.6 论文目的和内容安排第24-26页
第二章 薄膜及TFT器件的工艺流程和表征方法第26-36页
    2.1 薄膜和TFT器件工艺流程第26-32页
        2.1.1 实验材料的准备和基板的清洗第27页
        2.1.2 薄膜制备工艺第27-31页
        2.1.3 TFT器件制备工艺流程第31-32页
    2.2 表征方法第32-35页
        2.2.1 前驱体溶液的表征第32页
        2.2.2 薄膜的表征第32-34页
        2.2.3 器件的表征第34-35页
    2.3 小结第35-36页
第三章 溶液法制备High-k介电薄膜第36-55页
    3.1 HfO_2 的性能表征第36-41页
        3.1.1 HfO_2 前驱体溶液的表征第36-37页
        3.1.2 HfO_2 薄膜的结构表征第37页
        3.1.3 HfO_2 薄膜的光学表征第37-38页
        3.1.4 HfO_2 薄膜的表面形貌表征第38-39页
        3.1.5 HfO_2 薄膜的电学性能表征第39-41页
    3.2 Al_2O_3 的性能表征第41-46页
        3.2.1 Al_2O_3 前驱体溶液的表征第41-42页
        3.2.2 Al_2O_3 薄膜的结构表征第42页
        3.2.3 Al_2O_3 薄膜的光学表征第42-43页
        3.2.4 Al_2O_3 薄膜的表面形貌表征第43-44页
        3.2.5 Al_2O_3 薄膜的电学性能表征第44-46页
    3.3 HAO膜的性能表征第46-54页
        3.3.1 HAO前驱体溶液表征第46-47页
        3.3.2 HAO薄膜的厚度和介电常数表征第47-48页
        3.3.3 HAO薄膜的光学表征第48页
        3.3.4 HAO薄膜的结构表征第48-49页
        3.3.5 HAO薄膜的表面形貌表征第49-50页
        3.3.6 HAO薄膜的电学表征第50-53页
        3.3.7 HAO薄膜的致密性表征第53-54页
    3.4 小结第54-55页
第四章 溶液法制备ZITO薄膜第55-64页
    4.1 前驱体溶液表征第55-56页
    4.2 结构表征第56页
    4.3 表面形貌表征第56-57页
    4.4 光学性能表征第57-58页
    4.5 化学状态表征第58-61页
    4.6 刻蚀性能表征第61-62页
    4.7 电学性能表征第62-63页
    4.8 小结第63-64页
第五章 溶液法制备底栅顶接触TFT器件第64-73页
    5.1 ZITO-HfO_2 TFT器件的研究第64-66页
    5.2 ZITO-Al_2O_3 TFT器件的研究第66-68页
    5.3 ZITO-HAO TFT器件的研究第68-72页
    5.4 小结第72-73页
第六章 结论与展望第73-75页
    6.1 结论第73-74页
    6.2 展望第74-75页
参考文献第75-83页
作者在攻读硕士学位期间公开发表的论文和专利第83-84页
作者在攻读硕士学位期间所作的项目第84-85页
致谢第85页

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