| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-26页 |
| 1.1 引言 | 第13-14页 |
| 1.2 薄膜晶体管 | 第14-16页 |
| 1.2.1 TFT器件结构 | 第14-15页 |
| 1.2.2 TFT器件工作原理 | 第15-16页 |
| 1.3 TFT的制备方法 | 第16-18页 |
| 1.4 溶液法制备TFT的现状 | 第18-24页 |
| 1.4.1 溶液法制备TFT绝缘层的现状 | 第18-21页 |
| 1.4.2 溶液法制备TFT有源层的现状 | 第21-24页 |
| 1.5 课题来源 | 第24页 |
| 1.6 论文目的和内容安排 | 第24-26页 |
| 第二章 薄膜及TFT器件的工艺流程和表征方法 | 第26-36页 |
| 2.1 薄膜和TFT器件工艺流程 | 第26-32页 |
| 2.1.1 实验材料的准备和基板的清洗 | 第27页 |
| 2.1.2 薄膜制备工艺 | 第27-31页 |
| 2.1.3 TFT器件制备工艺流程 | 第31-32页 |
| 2.2 表征方法 | 第32-35页 |
| 2.2.1 前驱体溶液的表征 | 第32页 |
| 2.2.2 薄膜的表征 | 第32-34页 |
| 2.2.3 器件的表征 | 第34-35页 |
| 2.3 小结 | 第35-36页 |
| 第三章 溶液法制备High-k介电薄膜 | 第36-55页 |
| 3.1 HfO_2 的性能表征 | 第36-41页 |
| 3.1.1 HfO_2 前驱体溶液的表征 | 第36-37页 |
| 3.1.2 HfO_2 薄膜的结构表征 | 第37页 |
| 3.1.3 HfO_2 薄膜的光学表征 | 第37-38页 |
| 3.1.4 HfO_2 薄膜的表面形貌表征 | 第38-39页 |
| 3.1.5 HfO_2 薄膜的电学性能表征 | 第39-41页 |
| 3.2 Al_2O_3 的性能表征 | 第41-46页 |
| 3.2.1 Al_2O_3 前驱体溶液的表征 | 第41-42页 |
| 3.2.2 Al_2O_3 薄膜的结构表征 | 第42页 |
| 3.2.3 Al_2O_3 薄膜的光学表征 | 第42-43页 |
| 3.2.4 Al_2O_3 薄膜的表面形貌表征 | 第43-44页 |
| 3.2.5 Al_2O_3 薄膜的电学性能表征 | 第44-46页 |
| 3.3 HAO膜的性能表征 | 第46-54页 |
| 3.3.1 HAO前驱体溶液表征 | 第46-47页 |
| 3.3.2 HAO薄膜的厚度和介电常数表征 | 第47-48页 |
| 3.3.3 HAO薄膜的光学表征 | 第48页 |
| 3.3.4 HAO薄膜的结构表征 | 第48-49页 |
| 3.3.5 HAO薄膜的表面形貌表征 | 第49-50页 |
| 3.3.6 HAO薄膜的电学表征 | 第50-53页 |
| 3.3.7 HAO薄膜的致密性表征 | 第53-54页 |
| 3.4 小结 | 第54-55页 |
| 第四章 溶液法制备ZITO薄膜 | 第55-64页 |
| 4.1 前驱体溶液表征 | 第55-56页 |
| 4.2 结构表征 | 第56页 |
| 4.3 表面形貌表征 | 第56-57页 |
| 4.4 光学性能表征 | 第57-58页 |
| 4.5 化学状态表征 | 第58-61页 |
| 4.6 刻蚀性能表征 | 第61-62页 |
| 4.7 电学性能表征 | 第62-63页 |
| 4.8 小结 | 第63-64页 |
| 第五章 溶液法制备底栅顶接触TFT器件 | 第64-73页 |
| 5.1 ZITO-HfO_2 TFT器件的研究 | 第64-66页 |
| 5.2 ZITO-Al_2O_3 TFT器件的研究 | 第66-68页 |
| 5.3 ZITO-HAO TFT器件的研究 | 第68-72页 |
| 5.4 小结 | 第72-73页 |
| 第六章 结论与展望 | 第73-75页 |
| 6.1 结论 | 第73-74页 |
| 6.2 展望 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-83页 |
| 作者在攻读硕士学位期间公开发表的论文和专利 | 第83-84页 |
| 作者在攻读硕士学位期间所作的项目 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85页 |