| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 拉曼散射的基本概念 | 第9-12页 |
| 1.1.1 拉曼的经典理论解释 | 第9-11页 |
| 1.1.2 拉曼的量子理论解释 | 第11-12页 |
| 1.2 SiC的晶体结构 | 第12-13页 |
| 1.3 SiC材料的研究现状 | 第13-17页 |
| 1.3.1 高压电子器件 | 第13-14页 |
| 1.3.2 生长缺陷的控制 | 第14-15页 |
| 1.3.3 SiC在其他领域的应用 | 第15-17页 |
| 1.4 等离子体-声子耦合研究现状 | 第17-19页 |
| 1.4.1 Ⅲ-Ⅴ族半导体和SiC的等离子体-声子耦合模 | 第17-19页 |
| 1.4.2 金属氧化物的等离子体-声子耦合模 | 第19页 |
| 1.5 本论文的出发点和研究内容 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-23页 |
| 第二章 6H-SiC样品的制备、表征和表面修饰 | 第23-34页 |
| 2.1 引言 | 第23页 |
| 2.2 6H-SiC的制备和表征 | 第23-25页 |
| 2.2.1 6H-SiC样品的制备 | 第23页 |
| 2.2.2 6H-SiC微晶薄膜的SEM、XRD和厚度表征 | 第23-25页 |
| 2.3 6H-SiC的表面修饰 | 第25-30页 |
| 2.3.1 表面修饰原理 | 第26-28页 |
| 2.3.2 6H-SC修饰前后对比 | 第28-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-34页 |
| 第三章 6H-SiC等离子体-折叠声子耦合模研究 | 第34-47页 |
| 3.1 引言 | 第34-35页 |
| 3.2 折叠声子模的由来和拉曼光谱的洛伦兹拟合 | 第35-39页 |
| 3.2.1 折叠声子模的产生 | 第35-36页 |
| 3.2.2 折叠声子模的各向异性 | 第36-37页 |
| 3.2.3 折叠声子模的洛伦兹拟合 | 第37-39页 |
| 3.3 样品粒径和厚度对等离子体-折叠声子耦合模的影响 | 第39-44页 |
| 3.3.1 样品厚度和粒径对耦合模的影响 | 第39-41页 |
| 3.3.2 不同样品的UV-VIS-IR吸收图谱分析 | 第41-42页 |
| 3.3.3 理论计算 | 第42-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 第四章 总结与展望 | 第47-48页 |
| 攻读硕士学位期间已发表的论文 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
