| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 中红外激光的应用 | 第10-11页 |
| 1.2 中红外光纤激光器的优势 | 第11-12页 |
| 1.3 中红外光纤激光器的研究现状 | 第12-24页 |
| 1.3.1 中红外光纤基质材料分类 | 第12-14页 |
| 1.3.2 中红外连续光纤激光器的研究现状 | 第14-19页 |
| 1.3.3 中红外脉冲光纤激光器的研究现状 | 第19-24页 |
| 1.4 本论文的主要内容 | 第24-26页 |
| 第二章 级联掺Ho~(3+)ZBLAN光纤激光器的数值模拟与优化 | 第26-42页 |
| 2.1 引言 | 第26-27页 |
| 2.2 级联掺Ho~(3+)ZBLAN光纤激光器的数值模型建立 | 第27-30页 |
| 2.3 系统参数优化与分析 | 第30-40页 |
| 2.3.1 光纤长度优化 | 第30-33页 |
| 2.3.2 掺杂浓度优化 | 第33-36页 |
| 2.3.3 ESA和ETU过程对激光器性能影响 | 第36-37页 |
| 2.3.4 输出耦合优化 | 第37-39页 |
| 2.3.5 泵浦参数优化 | 第39-40页 |
| 2.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第三章 基于掺Ho~(3+)ZBLAN光纤的ASE及连续振荡特性实验研究 | 第42-52页 |
| 3.1 引言 | 第42-43页 |
| 3.2 基于掺Ho~(3+)ZBLAN光纤的ASE特性研究 | 第43-48页 |
| 3.2.1 实验装置 | 第43-45页 |
| 3.2.2 实验结果与分析 | 第45-48页 |
| 3.3 基于掺Ho~(3+)ZBLAN光纤的连续振荡实验研究 | 第48-50页 |
| 3.3.1 实验装置 | 第48-49页 |
| 3.3.2 实验结果与分析 | 第49-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 基于半导体可饱和吸收镜的被动调Q掺Ho~(3+)ZBLAN光纤激光器实验研究 | 第52-68页 |
| 4.1 引言 | 第52页 |
| 4.2 基于SESAM的 3 μm被动调Q掺Ho~(3+)ZBLAN光纤激光器实验研究 | 第52-59页 |
| 4.2.1 实验装置 | 第52-54页 |
| 4.2.2 实验结果及分析 | 第54-59页 |
| 4.3 基于SESAM的双波长被动调制掺Ho~(3+) ZBLAN光纤激光器实验研究 | 第59-66页 |
| 4.3.1 实验装置 | 第60页 |
| 4.3.2 实验结果及分析 | 第60-66页 |
| 4.4 本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 基于Fe~(2+):ZnSe和Cr~(2+):ZnSe晶体的中红外被动调Q光纤激光器实验研究 | 第68-92页 |
| 5.1 引言 | 第68-69页 |
| 5.2 基于Fe~(2+):ZnSe晶体的被动调Q掺Ho~(3+)ZBLAN光纤激光器的实验研究 | 第69-76页 |
| 5.2.1 Fe~(2+):ZnSe晶体 | 第69-71页 |
| 5.2.2 实验装置 | 第71-72页 |
| 5.2.3 实验结果与分析 | 第72-76页 |
| 5.3 基于Cr~(2+):ZnSe晶体的被动调Q掺Tm3+石英光纤激光器的实验研究 | 第76-90页 |
| 5.3.1 Cr~(2+):ZnSe晶体 | 第77页 |
| 5.3.2 实验装置 | 第77-79页 |
| 5.3.3 实验结果与分析 | 第79-90页 |
| 5.4 本章小结 | 第90-92页 |
| 第六章 结论 | 第92-95页 |
| 6.1 本文的主要成果 | 第92-93页 |
| 6.2 工作展望 | 第93-95页 |
| 致谢 | 第95-96页 |
| 参考文献 | 第96-109页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第109-111页 |
