微波发射前端关键芯片研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 单片微波集成电路简介 | 第9-10页 |
| 1.2 单片微波集成电路发展历史与现状 | 第10-13页 |
| 1.3 本文的主要研究内容及章节安排 | 第13-15页 |
| 第二章 MMIC器件及工艺技术 | 第15-28页 |
| 2.1 半导体材料 | 第15-16页 |
| 2.2 MMIC设计流程及工艺流程 | 第16-21页 |
| 2.2.1 MMIC设计流程 | 第16-17页 |
| 2.2.2 MMIC工艺流程 | 第17-20页 |
| 2.2.3 MMIC工艺选择 | 第20-21页 |
| 2.3 无源器件 | 第21-25页 |
| 2.3.1 螺旋电感 | 第21-23页 |
| 2.3.2 电容 | 第23-24页 |
| 2.3.3 电阻 | 第24页 |
| 2.3.4 微带线 | 第24-25页 |
| 2.3.5 通孔 | 第25页 |
| 2.4 PHEMT器件模型 | 第25-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 Ku波段中等功率放大器设计 | 第28-49页 |
| 3.1 功率放大器概述 | 第28-29页 |
| 3.2 功率放大器主要参数 | 第29-33页 |
| 3.2.1 功率放大器增益和增益平坦度 | 第29-30页 |
| 3.2.2 放大器的稳定性 | 第30-31页 |
| 3.2.3 输出功率 | 第31-32页 |
| 3.2.4 效率 | 第32页 |
| 3.2.5 输入输出端回波损耗 | 第32-33页 |
| 3.2.6 谐波失真 | 第33页 |
| 3.2.7 三阶交调 | 第33页 |
| 3.3 电路拓扑结构的选择 | 第33-34页 |
| 3.4 MMIC中等功率放大器指标要求及总体方案 | 第34页 |
| 3.5 偏置电路及直流工作点选取 | 第34-37页 |
| 3.6 晶体管稳定性分析 | 第37-40页 |
| 3.7 匹配电路 | 第40-45页 |
| 3.7.1 输出匹配电路 | 第41-43页 |
| 3.7.2 级间匹配电路 | 第43-44页 |
| 3.7.3 输入匹配电路 | 第44-45页 |
| 3.8 整体电路及版图仿真设计 | 第45-48页 |
| 3.9 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 3~9GHz双平衡混频器设计 | 第49-65页 |
| 4.1 混频器基本原理 | 第49-50页 |
| 4.2 混频器主要参数 | 第50-53页 |
| 4.2.1 变频损耗 | 第50-51页 |
| 4.2.2 端口隔离度 | 第51页 |
| 4.2.3 镜像抑制度 | 第51-52页 |
| 4.2.4 噪声系数 | 第52页 |
| 4.2.5 交调系数 | 第52页 |
| 4.2.6 端.回波损耗 | 第52-53页 |
| 4.3 双平衡混频器指标要求 | 第53页 |
| 4.4 总体技术方案 | 第53-54页 |
| 4.5 螺旋巴伦仿真设计 | 第54-58页 |
| 4.6 双平衡混频器电路仿真 | 第58-61页 |
| 4.7 芯片测试及结果分析 | 第61-63页 |
| 4.8 本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第71-72页 |
