| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 石墨烯的基本性质及其研究现状 | 第9-12页 |
| 1.1.1 石墨烯的结构和电子性质 | 第9-10页 |
| 1.1.2 目前主要的制备方法 | 第10-11页 |
| 1.1.3 石墨烯在应用中的主要问题及解决方法 | 第11-12页 |
| 1.2 过渡金属硫族化物(MX_2,M=Mo,W X=S,Se)的基本性质及其研究现状 | 第12-14页 |
| 1.2.1 过渡金属硫族化物结构及其基本性质 | 第12-13页 |
| 1.2.2 过渡金属硫族化物的主要制备方法 | 第13-14页 |
| 1.2.3 过渡金属硫族化物的主要问题 | 第14页 |
| 1.3 范德华异质结的基本概念及其研究现状 | 第14-16页 |
| 1.3.1 范德华异质结的基本概念 | 第14-15页 |
| 1.3.2 范德华异质结的制备方法 | 第15-16页 |
| 1.4 本论文研究的出发点和意义 | 第16-19页 |
| 参考文献 | 第19-22页 |
| 第二章 理论研究方法 | 第22-28页 |
| 2.1 薛定谔方程和两个基本近似 | 第22-26页 |
| 2.1.1 薛定谔方程 | 第22-23页 |
| 2.1.2 Born-Oppenheinmer近似 | 第23页 |
| 2.1.3 单电子近似 | 第23-24页 |
| 2.1.4 密度泛函理论(DFT) | 第24-26页 |
| 2.2 本论文所用的软件 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-28页 |
| 第三章 3d过渡金属嵌入石墨烯和二硫化物Graphene@MS_2 (M=W,Mo)的异质结的半金属性的研究 | 第28-43页 |
| 3.1 前言 | 第28-29页 |
| 3.2 计算方法 | 第29-30页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第30-39页 |
| 3.3.1 TM@(G/MS_2)(TM=Sc-Ni,M=Mo,W)结构和稳定性 | 第32-35页 |
| 3.3.2 TM@(G/MS_2)(TM=Sc-Ni, M=Mo, W)电性质和磁性质 | 第35-39页 |
| 3.4 结论 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-43页 |
| 第四章 TM＠(G/WSe_2)异质结中由缺陷引起的宽带隙 | 第43-57页 |
| 4.1 前言 | 第43-44页 |
| 4.2 计算方法 | 第44-45页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第45-54页 |
| 4.3.1 TM＠(G/WSe_2),TM@(G_sv/WSe_2)/TM@(G_sv_2/WSe_2)s和TM@(G/WSe_svSe)(TM=Sc-Ni)的几何结构 | 第45-48页 |
| 4.3.2 TM＠(G/WSe_2),TM＠(G_sv/WSe_2)/TM@(G_sv_2/WSe_2)和TM@(G/WSe_svSe)(TM=Sc-Ni)的电磁性质 | 第48-54页 |
| 4.4 总结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 第五章 论文总结与展望 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 攻读学位期间发表论文 | 第60-61页 |
