| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 透明导电氧化物薄膜 | 第8-10页 |
| 1.1.1 氧化物透明导电薄膜的分类 | 第8-9页 |
| 1.1.2 透明导电薄膜的应用 | 第9-10页 |
| 1.2 ZnO 基透明导电薄膜的研究现状 | 第10-15页 |
| 1.2.1 ZnO:Al 透明导电薄膜 | 第11-12页 |
| 1.2.2 ZnO: In 透明导电薄膜 | 第12页 |
| 1.2.3 ZnO:Ga 透明导电薄膜 | 第12-13页 |
| 1.2.4 其它元素掺杂的 ZnO 透明导电薄膜 | 第13-15页 |
| 第二章 实验原理、生长工艺及表征 | 第15-25页 |
| 2.1 透明导电薄膜的制备技术 | 第15-19页 |
| 2.1.1 磁控溅射法(Magnetron Sputtering) | 第15-16页 |
| 2.1.2 化学气相沉积(Chemical vapor deposition，CVD) | 第16-17页 |
| 2.1.3 喷涂热分解(Spray Pyrolysis) | 第17页 |
| 2.1.4 溶胶-凝胶法(Sol-Gel) | 第17页 |
| 2.1.5 脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition PLD) | 第17-19页 |
| 2.2 实验原料及生长工艺 | 第19-21页 |
| 2.2.1 靶材制备 | 第19-20页 |
| 2.2.2 衬底的选择及清洗 | 第20页 |
| 2.2.3 薄膜制备 | 第20-21页 |
| 2.3 薄膜表征技术 | 第21-25页 |
| 2.3.1 X 射线衍射技术（XRD） | 第21-22页 |
| 2.3.2 紫外—可见光吸收光谱测试仪 | 第22页 |
| 2.3.3 霍尔效应测试仪（Hall） | 第22-25页 |
| 第三章 氧化锌及其掺杂透明导电薄膜的物性研究 | 第25-42页 |
| 3.1 Ga 掺杂 ZnO 透明导电薄膜的制备及表征 | 第25-31页 |
| 3.1.1 衬底温度对 ZnO:Ga 透明导电薄膜的影响 | 第25-26页 |
| 3.1.2 氧气流量对 ZnO:Ga 透明导电薄膜的影响 | 第26-28页 |
| 3.1.3 射频原子源的功率对 ZnO:Ga 透明导电薄膜的影响 | 第28-31页 |
| 3.2 F 元素掺杂 ZnO 透明导电薄膜的制备及表征 | 第31-33页 |
| 3.3 F、Ga 元素共掺杂 ZnO 透明导电薄膜的制备及表征 | 第33-35页 |
| 3.4 掺杂元素对透明导电薄膜光电性质的影响 | 第35-38页 |
| 3.4.1 氧化锌（ZnO）透明导电薄膜的制备及表征 | 第35-36页 |
| 3.4.2 100℃时不同材料透明导电薄膜光电性质的比较 | 第36页 |
| 3.4.3 200℃时不同材料透明导电薄膜光电性质的比较 | 第36-37页 |
| 3.4.4 300℃时不同材料透明导电薄膜光电性质的比较 | 第37-38页 |
| 3.5 激光退火对透明导电薄膜光电性质的影响 | 第38-42页 |
| 3.5.1 激光退火对 GZO 透明导电薄膜的影响 | 第39-40页 |
| 3.5.2 激光退火对 FZO 透明导电薄膜的影响 | 第40页 |
| 3.5.3 激光退火对 FGZO 透明导电薄膜的影响 | 第40-42页 |
| 结论 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-46页 |
| 致谢 | 第46页 |
