| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 重要缩略词 | 第8-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-30页 |
| 1.1 二维原子/分子晶体材料背景介绍 | 第12-16页 |
| 1.1.1 二维原子晶体材料及异质结 | 第12-15页 |
| 1.1.2 二维超分子晶体材料 | 第15-16页 |
| 1.2 SPM背景介绍 | 第16-30页 |
| 1.2.1 扫描隧道显微学 | 第17-21页 |
| 1.2.2 原子力显微学 | 第21-26页 |
| 1.2.3 SPM家族 | 第26-28页 |
| 1.2.4 SPM系统背景介绍 | 第28-30页 |
| 第二章 SPM液氦低温恒温器的研发 | 第30-46页 |
| 2.1 背景介绍 | 第30-33页 |
| 2.2 热传递理论 | 第33-37页 |
| 2.2.1 热传导 | 第34-36页 |
| 2.2.2 热辐射 | 第36-37页 |
| 2.2.3 热对流 | 第37页 |
| 2.3 低温恒温器设计 | 第37-44页 |
| 2.3.1 传导漏热 | 第39-42页 |
| 2.3.2 辐射漏热 | 第42页 |
| 2.3.3 低温恒温器结构 | 第42-44页 |
| 2.4 低温恒温器测试 | 第44-45页 |
| 2.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 第三章 新型光学SPM探头的研发 | 第46-56页 |
| 3.1 压电材料 | 第46-48页 |
| 3.2 步进电机和扫描管 | 第48-51页 |
| 3.2.1 步进电机 | 第48-50页 |
| 3.2.2 扫描管 | 第50-51页 |
| 3.3 SPM探头设计 | 第51-53页 |
| 3.4 SPM探头测试 | 第53-55页 |
| 3.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 低温光学SPM系统的研发 | 第56-78页 |
| 4.1 背景介绍 | 第56-57页 |
| 4.2 系统整体设计 | 第57-63页 |
| 4.2.1 SPM表征腔 | 第58-60页 |
| 4.2.2 MBE生长腔 | 第60-61页 |
| 4.2.3 准备腔 | 第61页 |
| 4.2.4 Loadlock腔 | 第61-62页 |
| 4.2.5 真空缓冲腔 | 第62页 |
| 4.2.6 真空传样 | 第62-63页 |
| 4.3 超高真空实现 | 第63-66页 |
| 4.4 低温冷室设计 | 第66-69页 |
| 4.5 SPM探头安装及隔震 | 第69-71页 |
| 4.6 SPM系统测试 | 第71-75页 |
| 4.6.1 超高真空室温STM测试 | 第71-72页 |
| 4.6.2 超高真空低温STM测试 | 第72-73页 |
| 4.6.3 MBE生长 | 第73-75页 |
| 4.7 改进型系统设计 | 第75-76页 |
| 4.8 本章小结 | 第76-78页 |
| 第五章 二维单层FePc分子晶体的构筑及物性研究 | 第78-88页 |
| 5.1 背景介绍 | 第78-80页 |
| 5.2 Te/Se覆盖Au(Ⅲ)表面的制备 | 第80-83页 |
| 5.2.1 Te覆盖Au(Ⅲ)表面 | 第81-82页 |
| 5.2.2 Se覆盖Au(Ⅲ)表面 | 第82-83页 |
| 5.3 FePc在Te覆盖Au(Ⅲ)表面的外延生长 | 第83-86页 |
| 5.3.1 两相共存的FePc-Te超分子晶体 | 第83-85页 |
| 5.3.2 FePc-Te超分子晶体honeycomb相的形成机制 | 第85-86页 |
| 5.4 FePc在Se覆盖Au(Ⅲ)表面的外延生长 | 第86-87页 |
| 5.5 本章小结 | 第87-88页 |
| 第六章 硅烯/氮化硼异质结电子特性的第一性原理研究 | 第88-98页 |
| 6.1 背景介绍 | 第88-90页 |
| 6.1.1 硅烯的结构与电子特性 | 第88-89页 |
| 6.1.2 基于密度泛函的第一性原理计算 | 第89-90页 |
| 6.2 BN/Si异质结及电子结构特性 | 第90-95页 |
| 6.2.1 BN/Si/BN异质结 | 第90-92页 |
| 6.2.2 BN/Si/BN/Si/BN异质结 | 第92-94页 |
| 6.2.3 BN/Si超晶格 | 第94-95页 |
| 6.3 其他异质结中的硅烯电子特性 | 第95-97页 |
| 6.4 本章小结 | 第97-98页 |
| 第七章 总结和展望 | 第98-100页 |
| 参考文献 | 第100-105页 |
| 个人简历 | 第105-106页 |
| 已发表或正式接受的学术论文 | 第106页 |
| 申请或已获得的专利 | 第106-107页 |
| 致谢 | 第107-108页 |
