| 中文摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 拉曼散射 | 第9-10页 |
| 1.2 表面增强拉曼散射 | 第10-11页 |
| 1.2.1 表面增强拉曼散射增强机制 | 第10-11页 |
| 1.2.2 表面增强拉曼散射增强基底分析 | 第11页 |
| 1.3 紫外光激发下的表面增强拉曼散射效应 | 第11-12页 |
| 1.4 二维SnSe_2材料的简介 | 第12-16页 |
| 1.4.1 二维材料的简介 | 第12-13页 |
| 1.4.2 二维SnSe_2半导体材料简介 | 第13-15页 |
| 1.4.3 二维材料作为拉曼增强基底的研究 | 第15-16页 |
| 1.5 论文的选题依据及内容 | 第16-17页 |
| 第二章 二维层状SnSe_2纳米材料的制备、表征及拉曼增强实验方法 | 第17-21页 |
| 2.1 二维SnSe_2纳米片的制备 | 第17页 |
| 2.2 拉曼增强实验细节 | 第17-18页 |
| 2.3 SnSe_2纳米片样品表面结构的表征方法 | 第18-21页 |
| 2.3.1 光学显微镜表征方法 | 第18-19页 |
| 2.3.2 原子力显微镜表征方法 | 第19页 |
| 2.3.3 透射电子显微镜表征方法 | 第19页 |
| 2.3.4 拉曼光谱仪表征方法 | 第19-21页 |
| 第三章 不同层数的SnSe_2材料的物性分析 | 第21-27页 |
| 3.1 不同层数SnSe_2结构表征 | 第21-23页 |
| 3.2 不同层数SnSe_2拉曼光谱分析 | 第23-25页 |
| 3.3 结论 | 第25-27页 |
| 第四章 SnSe_2表面增强拉曼散射的研究 | 第27-51页 |
| 4.1 SnSe_2表面增强拉曼散射 | 第27-31页 |
| 4.1.1 实验方法 | 第27页 |
| 4.1.2 实验内容及结果分析 | 第27-31页 |
| 4.1.3 结论 | 第31页 |
| 4.2 不同层数SnSe_2表面增强拉曼散射的研究 | 第31-37页 |
| 4.2.1 实验方法 | 第31页 |
| 4.2.2 实验内容及结果分析 | 第31-36页 |
| 4.2.3 结论 | 第36-37页 |
| 4.3 不同激发波长下SnSe_2表面增强拉曼散射效应的研究 | 第37-51页 |
| 4.3.1 实验方法 | 第37页 |
| 4.3.2 实验内容及结果分析 | 第37-49页 |
| 4.3.3 结论 | 第49-51页 |
| 第五章 结论与展望 | 第51-53页 |
| 5.1 结论 | 第51-52页 |
| 5.2 主要创新点 | 第52页 |
| 5.3 前景及展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
