| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-30页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 光催化与光电催化分解水概述 | 第11-17页 |
| 1.2.1 半导体光催化分解水基本过程 | 第11-12页 |
| 1.2.2 半导体光电催化分解水基本过程 | 第12-14页 |
| 1.2.3 半导体光催化和光电催化分解水半反应过程 | 第14-15页 |
| 1.2.4 提高半导体光催化与光电催化活性的基本途径 | 第15-17页 |
| 1.3 纳米材料概述 | 第17-20页 |
| 1.3.1 纳米材料简介 | 第17页 |
| 1.3.2 纳米材料的特异性 | 第17-19页 |
| 1.3.3 纳米材料的传统制备法 | 第19-20页 |
| 1.3.4 纳米材料的化学转化制备法 | 第20页 |
| 1.3.5 本论文中超细纳米材料的范围界定 | 第20页 |
| 1.4 CdS光催化剂研究进展 | 第20-27页 |
| 1.4.1 形貌、尺寸调控 | 第21-23页 |
| 1.4.2 与分子配合物构筑人工杂化体系 | 第23-24页 |
| 1.4.3 与石墨烯复合 | 第24-25页 |
| 1.4.4 构筑直接Z-型体系 | 第25-27页 |
| 1.5 BiVO_4光电催化剂概述 | 第27页 |
| 1.6 本文的研究思路及内容 | 第27-30页 |
| 第2章 等级超细分支CdS纳米线阵列的制备及其光催化制氢性能研究 | 第30-60页 |
| 2.1 引言 | 第30-31页 |
| 2.2 实验部分 | 第31-36页 |
| 2.2.1 实验仪器和设备 | 第31-32页 |
| 2.2.2 实验材料和试剂 | 第32页 |
| 2.2.3 样品的制备 | 第32-34页 |
| 2.2.4 样品的表征 | 第34-35页 |
| 2.2.5 光化学产氢测试 | 第35-36页 |
| 2.2.6 电化学测试 | 第36页 |
| 2.3 结果和讨论 | 第36-59页 |
| 2.3.1 ZnS-DETA无机-有机杂化纳米片的表征 | 第36-38页 |
| 2.3.2 3DHU-CdS的表征与形成机理分析 | 第38-48页 |
| 2.3.3 3DHU-CdS的光催化制氢性能 | 第48-50页 |
| 2.3.4 拓展制备3D/2DCdS纳米结构 | 第50-52页 |
| 2.3.5 3DHU-CdS与镍配合物复合的光催化性能 | 第52-59页 |
| 2.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第3章 超薄CdS纳米片基直接Z-型光催化体系的构筑及其制氢性能研究 | 第60-94页 |
| 3.1 引言 | 第60-61页 |
| 3.2 实验部分 | 第61-67页 |
| 3.2.1 实验仪器和设备 | 第61-62页 |
| 3.2.2 实验材料和试剂 | 第62-63页 |
| 3.2.3 样品的制备 | 第63-65页 |
| 3.2.4 样品的表征 | 第65-66页 |
| 3.2.5 光化学产氢测试 | 第66页 |
| 3.2.6 光电化学测试 | 第66-67页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第67-93页 |
| 3.3.1 超薄CdS纳米片的物性表征 | 第67-69页 |
| 3.3.2 超薄CdS纳米片/还原氧化石墨烯复合材料的物性表征 | 第69-73页 |
| 3.3.3 直接Z-型光催化体系构建 | 第73-77页 |
| 3.3.4 光催化制氢性能 | 第77-90页 |
| 3.3.5 光电阴极制氢性能 | 第90-93页 |
| 3.4 本章小结 | 第93-94页 |
| 第4章 BiVO_4复合光电阳极的制备及其光电催化性能研究 | 第94-124页 |
| 4.1 引言 | 第94-95页 |
| 4.2 实验部分 | 第95-99页 |
| 4.2.1 实验仪器和设备 | 第95-96页 |
| 4.2.2 实验材料和试剂 | 第96页 |
| 4.2.3 样品的制备 | 第96-98页 |
| 4.2.4 样品的表征 | 第98页 |
| 4.2.5 光电催化测试 | 第98-99页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第99-123页 |
| 4.3.1 多孔BiVO_4电极的表征 | 第99-101页 |
| 4.3.2 多孔BiVO_4基复合电极的表征 | 第101-105页 |
| 4.3.3 多孔BiVO_4复合电极的性能测试 | 第105-123页 |
| 4.4 本章小结 | 第123-124页 |
| 第5章 结论 | 第124-126页 |
| 参考文献 | 第126-138页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第138-142页 |
| 致谢 | 第142-143页 |
