高能光子在半导体中输运的蒙特卡罗模拟研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-12页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·研究背景 | 第9页 |
| ·国内外研究现状 | 第9-10页 |
| ·国外研究现状 | 第9-10页 |
| ·国内研究现状 | 第10页 |
| ·主要研究内容 | 第10-12页 |
| ·高能光子与物质的相互作用 | 第10-11页 |
| ·高能光子输运的蒙特卡罗模拟 | 第11-12页 |
| 2 半导体材料 | 第12-16页 |
| ·半导体材料的发展 | 第12页 |
| ·GAAS等主要半导体材料概述 | 第12-14页 |
| ·半导体材料输运性质研究进展 | 第14-16页 |
| 3 高能光子与物质相互作用机制 | 第16-26页 |
| ·高能光子与物质相互作用简介 | 第16页 |
| ·光电效应 | 第16-19页 |
| ·光电截面 | 第17-18页 |
| ·光电子的角分布 | 第18-19页 |
| ·康普顿散射 | 第19-22页 |
| ·康普顿散射截面 | 第20-21页 |
| ·康普顿散射角分布 | 第21-22页 |
| ·电子对生成 | 第22-26页 |
| ·电子对效应的理论解释 | 第23-24页 |
| ·电子对效应的截面 | 第24-26页 |
| 4 蒙特卡罗模拟的基本方法 | 第26-33页 |
| ·蒙特卡罗方法概述 | 第26页 |
| ·蒙特卡罗方法基本原理 | 第26页 |
| ·蒙特卡罗方法的收敛性误差 | 第26-28页 |
| ·蒙特卡罗方法的特点 | 第28-30页 |
| ·降低方差的技巧 | 第30-31页 |
| ·系统抽样 | 第30-31页 |
| ·分层抽样 | 第31页 |
| ·偏倚抽样 | 第31页 |
| ·能量沉积模型 | 第31-33页 |
| 5 高能光子输运问题的具体模拟方法及模拟结果 | 第33-46页 |
| ·高能光子蒙特卡罗模拟方法简介 | 第33页 |
| ·本文中应用的抽样方法 | 第33-46页 |
| ·确定碰撞的原子核种类 | 第33-34页 |
| ·相互作用类型抽样 | 第34-35页 |
| ·乘抽样 | 第35-36页 |
| ·碰撞距离抽样 | 第36-46页 |
| 6 总结与展望 | 第46-47页 |
| 7 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-55页 |
| 附录 | 第55-58页 |
