| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-26页 |
| 1.1 研究的目的与意义 | 第9-10页 |
| 1.2 光促表面化学反应研究现状 | 第10-13页 |
| 1.2.1 光促表面化学反应的原理 | 第10-11页 |
| 1.2.2 光促表面催化反应的评价 | 第11页 |
| 1.2.3 光催化材料活性的影响因素 | 第11-13页 |
| 1.3 CO_2 催化还原研究概况 | 第13-21页 |
| 1.3.1 CO_2 分子结构分析 | 第13页 |
| 1.3.2 CO_2 的吸附活化 | 第13-15页 |
| 1.3.3 CO_2 的光催化还原研究进展 | 第15-21页 |
| 1.3.3.1 单一半导体或金属改性 | 第15-17页 |
| 1.3.3.2 半导体复合负载及固载化 | 第17-18页 |
| 1.3.3.3 稀土元素掺杂 | 第18页 |
| 1.3.3.4 固体酸改性 | 第18-19页 |
| 1.3.3.5 钙钛矿型及尖晶石型光催化剂 | 第19-20页 |
| 1.3.3.6 酶催化及光敏化 | 第20-21页 |
| 1.3.3.7 新型光催化材料制备 | 第21页 |
| 1.4 CH_4 光催化的研究现状 | 第21-24页 |
| 1.4.1 CH_4 分子结构分析 | 第21-22页 |
| 1.4.2 CH_4 活化吸附 | 第22页 |
| 1.4.2.1 CH_4 的临氧活化 | 第22页 |
| 1.4.2.2 CH_4 非临氧活化 | 第22页 |
| 1.4.3 CH_4 的光催化研究现状 | 第22-23页 |
| 1.4.4 CH_4 与CO_2 直接合成含氧有机物的研究现状和存在问题 | 第23-24页 |
| 1.5 本课题的研究目的、构思、内容与创新点 | 第24-26页 |
| 1.5.1 研究目的 | 第24页 |
| 1.5.2 研究构思 | 第24-25页 |
| 1.5.3 研究内容 | 第25页 |
| 1.5.4 创新点 | 第25-26页 |
| 第二章 实验方法 | 第26-33页 |
| 2.1 光催化材料的设计 | 第26-27页 |
| 2.1.1 载体物质的选择 | 第26页 |
| 2.1.2 催化剂表面活性组分的设计 | 第26-27页 |
| 2.2 光催化材料的制备方法 | 第27-29页 |
| 2.2.1 光催化材料制备方法的选择 | 第27页 |
| 2.2.2 主要原料与试剂 | 第27页 |
| 2.2.3 载体SiO_2 的预处理 | 第27-28页 |
| 2.2.4 复合硫化物-氧化物半导体材料的制备 | 第28页 |
| 2.2.5 金属改性的硫化物-氧化物复合催化剂的制备 | 第28-29页 |
| 2.3 光催化材料的表征方法 | 第29-30页 |
| 2.3.1 程序升温还原(TPR) | 第29页 |
| 2.3.2 X 射线衍射分析(XRD) | 第29-30页 |
| 2.3.3 红外光谱分析(IR) | 第30页 |
| 2.3.4 紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS) | 第30页 |
| 2.4 拉曼光谱(Raman | 第30页 |
| 2.5 光促表面催化反应性能评价实验 | 第30-33页 |
| 2.5.1 光促表面催化反应-色谱(PSSR-GC)实验 | 第30-32页 |
| 2.5.2 光促表面催化反应性能的评价 | 第32-33页 |
| 第三章 光催化复合半导体材料的结构表征 | 第33-49页 |
| 3.1 光催化复合半导体材料的化学组成与编号 | 第33-34页 |
| 3.2 MoO_3-MS/ SiO_2 系催化剂表面结构与分析 | 第34-46页 |
| 3.2.1 XRD 图谱分析 | 第34-37页 |
| 3.2.2.IR 图谱分析 | 第37-40页 |
| 3.2.3 Raman 图谱分析 | 第40-43页 |
| 3.2.4 TPR 图谱分析 | 第43-46页 |
| 3.3 Cu/MoO_3-MS/SiO_2 系催化剂 | 第46-48页 |
| 3.3.1 XRD 图谱分析 | 第46-47页 |
| 3.3.2 TPR 图谱分析 | 第47-48页 |
| 3.4 光催化材料表面结构模型 | 第48页 |
| 3.5 小结 | 第48-49页 |
| 第四章 光催化复合半导体的光响应性能和能带结构 | 第49-59页 |
| 4.1 光催化复合半导体的光响应性能 | 第49-51页 |
| 4.1.1 MoO_3-MS/ SiO_2 系复合半导体的光响应性能 | 第49-51页 |
| 4.2 光催化材料的能带结构 | 第51-58页 |
| 4.2.1 MoO_3-MS/ SiO_2 系复合半导体的能带结构 | 第52-58页 |
| 4.3 小结 | 第58-59页 |
| 第五章 光催化CO_2 和CH_4 合成反应性能研究 | 第59-64页 |
| 5.1 热表面催化反应结果 | 第59页 |
| 5.2 CO_2 与CH_4 的气相光催化反应结果 | 第59页 |
| 5.3 光促表面催化反应(PSSCR－GC)实验结果 | 第59-62页 |
| 5.4 反应机理推测 | 第62-63页 |
| 5.4 小结 | 第63-64页 |
| 第六章结论 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-73页 |
| 附录 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
