| 中文摘要 | 第4-8页 |
| Abstract | 第8-12页 |
| 第一章 引言 | 第13-35页 |
| 1.1 金属半导体接触结在电子器件中的广泛应用 | 第13-15页 |
| 1.2 金属半导体结中肖特基势垒高度的调制问题 | 第15-19页 |
| 1.3 硅基底上氧化物薄膜生长在电子器件中的应用 | 第19-22页 |
| 1.4 硅基底上生长氧化物薄膜的困难 | 第22-28页 |
| 参考文献 | 第28-35页 |
| 第二章 理论基础 | 第35-57页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第35-41页 |
| 2.1.1 绝热近似 | 第35-37页 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn 定理 | 第37-38页 |
| 2.1.3 LDA 近似 | 第38-39页 |
| 2.1.4 GGA 近似 | 第39-41页 |
| 2.2 布洛赫定理 | 第41-43页 |
| 2.3 赝势方法 | 第43-47页 |
| 2.3.1 模守恒赝势 | 第44-46页 |
| 2.3.2 超软赝势 | 第46-47页 |
| 2.4 电子驰豫和离子驰豫 | 第47-50页 |
| 2.4.1 电子驰豫 | 第47-48页 |
| 2.4.2 离子驰豫 | 第48-50页 |
| 2.5 Supercell 模型 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 第三章 PtSi/Si(001)界面掺杂对肖特基势垒的调制效应 | 第57-94页 |
| 3.1 引言 | 第57-58页 |
| 3.2 计算方法 | 第58-60页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第60-87页 |
| 3.3.1 PtSi的结构和性质以及在应变后的变化 | 第60-67页 |
| 3.3.2 PtSi/Si(001)界面的结构分析 | 第67-71页 |
| 3.3.3 PtSi/Si(001)界面的肖特基势垒和结构对其的影响 | 第71-77页 |
| 3.3.4 PtSi/Si(001)界面的电偶极子的分析 | 第77-79页 |
| 3.3.5 PtSi/Si(001)界面的掺杂效应对势垒的调制作用 | 第79-87页 |
| 3.4 结论 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-94页 |
| 第四章 Si(001)表面悬挂键电子在氧化物生长过程中所起的作用 | 第94-123页 |
| 4.1 引言 | 第94-95页 |
| 4.2 计算方法 | 第95-97页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第97-118页 |
| 4.3.1 单个氧原子在Si(001)表面吸附的最终结构 | 第97-99页 |
| 4.3.2 单个氧原子在Si(001)表面的氧化通道 | 第99-103页 |
| 4.3.3 Si(001)表面悬挂键电子所起的阻止氧化的作用 | 第103-109页 |
| 4.3.4 Sr原子在Si(001)表面生长氧化物过程中的作用 | 第109-113页 |
| 4.3.5 在Si(001)表面引入电子或空穴的验证结果 | 第113-118页 |
| 4.4 结论 | 第118-119页 |
| 参考文献 | 第119-123页 |
| 第五章 结语和展望 | 第123-126页 |
| 致谢 | 第126-127页 |
| 论文发表情况 | 第127-128页 |
