| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第12-34页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 纳米科技与纳米材料 | 第12-14页 |
| 1.3 一维半导体纳米材料 | 第14-27页 |
| 1.3.1 一维半导体纳米材料的合成方法 | 第15-17页 |
| 1.3.2 一维半导体纳米材料的生长机制 | 第17-19页 |
| 1.3.3 一维半导体纳米材料的光电性质及其应用 | 第19-27页 |
| 1.4 合金半导体 | 第27-32页 |
| 1.4.1 合金半导体的定义和基本特性 | 第27页 |
| 1.4.2 一维半导体合金纳米结构的合成方法 | 第27页 |
| 1.4.3 一维半导体合金纳米材料的研究进展 | 第27-32页 |
| 1.5 本论文的研究目的、研究内容及意义 | 第32-34页 |
| 第2章 高质量的 CdTe 和 ZnTe 纳米线的合成及其光电性质的研究 | 第34-46页 |
| 2.1 引言 | 第34页 |
| 2.2 高质量的 CdTe 纳米线的合成与表面光电压特性研究 | 第34-41页 |
| 2.2.1 引言 | 第34-35页 |
| 2.2.2 实验过程 | 第35-36页 |
| 2.2.3 CdTe 纳米线的 SEM、XRD、EDS、TEM 表征 | 第36-38页 |
| 2.2.4 CdTe 纳米线的光致发光 | 第38-39页 |
| 2.2.5 CdTe 纳米线的表面光电压研究 | 第39-40页 |
| 2.2.6 CdTe 纳米线的生长机制研究 | 第40-41页 |
| 2.3 ZnTe 纳米线的合成及光子学性能研究 | 第41-45页 |
| 2.3.1 引言 | 第41页 |
| 2.3.2 实验过程 | 第41-42页 |
| 2.3.3 ZnTe 纳米线的 XRD、SEM、TEM、EDS 表征 | 第42-44页 |
| 2.3.4 ZnTe 纳米线的光子学研究 | 第44-45页 |
| 2.4 本章总结 | 第45-46页 |
| 第3章 ZnCdTe 合金纳米材料的合成及其光电性质的研究 | 第46-58页 |
| 3.1 引言 | 第46-47页 |
| 3.2 单衬底上组分可调的 ZnCdTe 合金纳米结构的合成及其发光性能的研究 | 第47-53页 |
| 3.2.1 实验过程 | 第47-48页 |
| 3.2.2 形貌、组分和结构表征 | 第48-51页 |
| 3.2.3 组分和发光可调 | 第51-53页 |
| 3.2.4 生长机理解释 | 第53页 |
| 3.3 采用两步法合成 CdZnTe 合金纳米结构 | 第53-57页 |
| 3.3.1 实验过程 | 第53-54页 |
| 3.3.2 形貌、组分和微结构表征 | 第54-56页 |
| 3.3.3 生长机理探讨 | 第56-57页 |
| 3.4 本章总结 | 第57-58页 |
| 第4章 ZnCdSeTe 合金纳米带的合成及其发光性质 | 第58-62页 |
| 4.1 引言 | 第58页 |
| 4.2 实验过程 | 第58-59页 |
| 4.3 形貌、组分和结构表征 | 第59-61页 |
| 4.4 ZnCdSeTe 四元合金纳米带发光性质研究 | 第61页 |
| 4.5 本章总结 | 第61-62页 |
| 第5章 宽带隙可调 ZnGaSeAs 合金纳米线的合成与光电性质研究 | 第62-71页 |
| 5.1 引言 | 第62-63页 |
| 5.2 实验过程 | 第63-64页 |
| 5.3 形貌、结构和组分表征 | 第64-68页 |
| 5.4 组分与带隙可调 | 第68-70页 |
| 5.5 本章总结 | 第70-71页 |
| 第6章 二氧化钛纳米棒阵列的合成及其表面光电压研究 | 第71-77页 |
| 6.1 引言 | 第71页 |
| 6.2 实验部分 | 第71-72页 |
| 6.2.1 试剂与仪器 | 第71页 |
| 6.2.2 实验过程 | 第71-72页 |
| 6.3 形貌与晶体结构表征 | 第72-75页 |
| 6.4 表面光电压性质的研究 | 第75-76页 |
| 6.5 本章总结 | 第76-77页 |
| 结论与展望 | 第77-80页 |
| 参考文献 | 第80-96页 |
| 附录 A 攻读博士学位期间发表或投出论文 | 第96-98页 |
| 致谢 | 第98-99页 |
