| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 课题背景及研究目的和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 硅纳米线阵列的优势 | 第11-14页 |
| 1.2.1 光学特征 | 第11-13页 |
| 1.2.2 电学特征 | 第13-14页 |
| 1.3 基于硅纳米线阵列的光伏应用研究现状 | 第14-17页 |
| 1.3.1 通过掺杂扩散方法形成的硅纳米线太阳电池 | 第14-15页 |
| 1.3.2 通过化学气相沉积（CVD）方法形成的硅纳米线异质结电池 | 第15-16页 |
| 1.3.3 基于硅纳米线阵列的杂化电池 | 第16-17页 |
| 1.3.4 基于硅纳米线阵列的光电化学电池 | 第17页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第17-20页 |
| 第2章 样品的制备和性能表征 | 第20-27页 |
| 2.1 硅纳米线阵列的制备 | 第20-23页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第20页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第20页 |
| 2.1.3 实验步骤 | 第20-21页 |
| 2.1.4 反应原理 | 第21-23页 |
| 2.2 薄膜制备 | 第23页 |
| 2.2.1 PECVD 设备 | 第23页 |
| 2.2.2 磁控溅射设备 | 第23页 |
| 2.3 性能表征 | 第23-27页 |
| 2.3.1 拉曼光谱仪表征 | 第23-24页 |
| 2.3.2 台阶仪表征 | 第24页 |
| 2.3.3 紫外—分光光度计表征 | 第24-25页 |
| 2.3.4 扫描电子显微镜表征 | 第25页 |
| 2.3.5 霍尔效应测试表征 | 第25页 |
| 2.3.6 电导率表征 | 第25-26页 |
| 2.3.7 傅里叶红外表征 | 第26页 |
| 2.3.8 电池效率表征 | 第26-27页 |
| 第3章 硅纳米线上薄膜制备与性能表征 | 第27-40页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 硅纳米线制备与性能表征 | 第27-29页 |
| 3.2.1 刻蚀时间对硅纳米线形貌的影响 | 第27-28页 |
| 3.2.2 硅纳米线阵列反射谱表征 | 第28-29页 |
| 3.3 硅纳米线上薄膜制备与性能表征 | 第29-34页 |
| 3.3.1 纳米线长度对非晶硅形貌的影响 | 第29-31页 |
| 3.3.2 非晶硅沉积时间对非晶硅形貌的影响 | 第31-32页 |
| 3.3.3 AZO 沉积时间对 AZO 形貌的影响 | 第32-34页 |
| 3.4 氢氧化钾刻蚀对薄膜制备的影响 | 第34-39页 |
| 3.4.1 氢氧化钾刻蚀时间对纳米线形貌的影响 | 第34-35页 |
| 3.4.2 氢氧化钾刻蚀时间对非晶硅形貌的影响 | 第35-36页 |
| 3.4.3 氢氧化钾刻蚀时间对 AZO 形貌的影响 | 第36-37页 |
| 3.4.4 氢氧化钾刻蚀时间对硅纳米线反射谱的影响 | 第37-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 本征非晶硅薄膜的制备与性能表征 | 第40-52页 |
| 4.1 引言 | 第40-41页 |
| 4.2 实验安排 | 第41页 |
| 4.2.1 实验材料 | 第41页 |
| 4.2.2 工艺参数 | 第41页 |
| 4.3 实验结果分析 | 第41-51页 |
| 4.3.1 硅烷浓度对本征钝化层的影响 | 第41-46页 |
| 4.3.2 沉积气压对本征钝化层的影响 | 第46-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第5章 异质结电池制备与表征 | 第52-58页 |
| 5.1 引言 | 第52页 |
| 5.2 电池制备 | 第52-56页 |
| 5.2.1 硅纳米线阵列制备 | 第52页 |
| 5.2.2 非晶硅薄膜的制备 | 第52-54页 |
| 5.2.3 AZO 薄膜的制备 | 第54页 |
| 5.2.4 电极接触特性表征 | 第54-56页 |
| 5.3 电池性能表征 | 第56-57页 |
| 5.3.1 本征层对纳米锥电池性能的影响 | 第56页 |
| 5.3.2 电池结构对电池性能的影响 | 第56-57页 |
| 5.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
