| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 航天器深层充电效应研究背景 | 第11-15页 |
| 1.1.1 空间辐射环境 | 第11-12页 |
| 1.1.2 空间辐射效应及危害 | 第12-15页 |
| 1.2 深层充电效应研究现状 | 第15-17页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第15页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第15-17页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第17-18页 |
| 第二章 航天器介质深层充电计算方法 | 第18-30页 |
| 2.1 电子在介质中的输运 | 第18-20页 |
| 2.1.1 经验公式法 | 第18-19页 |
| 2.1.2 蒙特卡罗方法 | 第19-20页 |
| 2.1.3 计算方法的比较 | 第20页 |
| 2.2 介质电导率 | 第20-23页 |
| 2.2.1 辐射诱导电导率 | 第20-22页 |
| 2.2.2 非线性电导率 | 第22-23页 |
| 2.3 电场计算模型 | 第23-26页 |
| 2.3.1 等效电路模型 | 第24页 |
| 2.3.2 微分方程模型 | 第24页 |
| 2.3.3 RIC模型 | 第24-25页 |
| 2.3.4 GR模型 | 第25-26页 |
| 2.3.5 电场模型的比较 | 第26页 |
| 2.4 介质深层充电数值模拟常用软件 | 第26-29页 |
| 2.4.1 ESADDC | 第26-27页 |
| 2.4.2 DICTACT | 第27-28页 |
| 2.4.3 NUMIT | 第28页 |
| 2.4.4 常用软件比较 | 第28-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 基于GEANT4的电子在介质材料中的输运模拟 | 第30-43页 |
| 3.1 GEANT4工具包简介 | 第30-37页 |
| 3.1.1 入射电子源的实现 | 第32-33页 |
| 3.1.2 电子与物质作用的物理过程 | 第33-35页 |
| 3.1.3 探测器的构造 | 第35-36页 |
| 3.1.4 计算结果的输出 | 第36-37页 |
| 3.2 电子输运过程的GEANT4模拟 | 第37-40页 |
| 3.3 算例验证 | 第40-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 介质深层充电仿真计算及抗内带电分析 | 第43-58页 |
| 4.1 介质深层带电机理与抗内带电方法 | 第43-44页 |
| 4.2 航天介质深层充电计算过程 | 第44-51页 |
| 4.2.1 深层充电计算过程 | 第44-46页 |
| 4.2.2 介质非线性电导率的拟合 | 第46-48页 |
| 4.2.3 初始-边值条件及求解方法 | 第48-49页 |
| 4.2.4 算例验证 | 第49-51页 |
| 4.3 非线性电导对深层充电的改善 | 第51-56页 |
| 4.3.1 SiC掺量对介质深层充电的影响 | 第52-54页 |
| 4.3.2 SiC粒径对介质深层充电的影响 | 第54-55页 |
| 4.3.3 SiC成分对介质深层充电的影响 | 第55-56页 |
| 4.3.4 SiC晶型对介质深层充电的影响 | 第56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 结论 | 第58-60页 |
| 5.1 总结 | 第58-59页 |
| 5.2 展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 在学期间发表的学术论文和参加科研情况 | 第65-66页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第66页 |