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高纯三氯氢硅中杂质元素检测方法优化的研究

中文摘要第4-5页
ABSTRACT第5页
第1章 文献综述第9-23页
    1.1 三氯氢硅概述第9-16页
        1.1.1 三氯氢硅简介及主要用途第9页
        1.1.2 三氯氢硅生产现状第9-11页
        1.1.3 三氯氢硅中杂质元素对多晶硅的影响第11-13页
        1.1.4 三氯氢硅的精馏提纯工艺第13-16页
    1.2 检测方法概述第16-21页
        1.2.1 紫外-可见分光光度计法第16-17页
        1.2.2 原子吸收光谱法第17-18页
        1.2.3 电感耦合等离子体发射光谱法第18-19页
        1.2.4 电感耦合等离子体质谱法第19-21页
    1.3 国内外三氯氢硅的前处理和检测方法研究现状第21页
    1.4 本论文主要研究内容第21-23页
第2章 三氯氢硅前处理第23-29页
    2.1 引言第23页
    2.2 实验部分第23-25页
        2.2.1 实验试剂第23-24页
        2.2.2 实验设备第24页
        2.2.3 实验过程第24-25页
    2.3 前处理原理与结果讨论第25-27页
        2.3.1 消解效果比较第25-27页
    2.4 小结第27-29页
第3章 ICP-MS法测定三氯氢硅中硼元素第29-43页
    3.1 引言第29-30页
    3.2 实验部分第30-31页
        3.2.1 实验设备第30页
        3.2.2 实验试剂第30页
        3.2.3 实验步骤第30-31页
    3.3 硼元素测定原理与结果讨论第31-42页
        3.3.1 B元素的污染控制第31页
        3.3.2 ICP-MS工作条件的确定第31-36页
        3.3.3 络合剂的选择第36-38页
        3.3.4 电热板温度的选择第38-39页
        3.3.5 定容酸的选择第39-40页
        3.3.6 标准曲线的绘制第40页
        3.3.7 检测限的测定第40-41页
        3.3.8 方法的精密度第41-42页
    3.4 小结第42-43页
第4章 Agilent 7700 ICP-MS测定三氯氢硅中磷元素第43-51页
    4.1 引言第43页
    4.2 实验部分第43-44页
        4.2.1 实验设备第43-44页
        4.2.2 实验试剂第44页
        4.2.3 实验步骤第44页
    4.3 检测原理与结果讨论第44-49页
        4.3.1 实验原理第44页
        4.3.2 磷元素的测定原理研究第44-45页
        4.3.3 载气和补偿气对PO(47)的影响第45-47页
        4.3.4 标准曲线的绘制第47-48页
        4.3.5 仪器检测限第48页
        4.3.6 方法准确度和精密度第48-49页
    4.4 小结第49-51页
第5章 高纯三氯氢硅中金属杂质的测定第51-61页
    5.1 引言第51页
    5.2 实验部分第51-52页
        5.2.1 实验仪器第51-52页
        5.2.2 实验试剂第52页
        5.2.3 标准溶液的配置第52页
        5.2.4 实验步骤第52页
    5.3 测定机理与结果讨论第52-58页
        5.3.1 元素质量数及电离模式的确定第52-54页
        5.3.2 标准曲线的建立第54-56页
        5.3.3 方法的准确度第56页
        5.3.4 方法精密度第56-57页
        5.3.5 检测限第57-58页
    5.4 小结第58-61页
第6章 高纯三氯氢硅杂质分析质量控制研究第61-67页
    6.1 引言第61页
    6.2 影响因素分析与控制第61-65页
        6.2.1 采集样品第61-62页
        6.2.2 制备样品和消解方法第62页
        6.2.3 试剂和标准的选择第62-63页
        6.2.4 器皿装置的选择第63页
        6.2.5 实验室洁净度控制第63页
        6.2.6 分析人员第63-64页
        6.2.7 仪器和方法第64-65页
    6.3 小结第65-67页
第7章 结论与展望第67-69页
    7.1 结论第67-68页
    7.2 展望第68-69页
参考文献第69-73页
发表论文和参加科研情况说明第73-75页
致谢第75-76页

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