中文摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5页 |
第1章 文献综述 | 第9-23页 |
1.1 三氯氢硅概述 | 第9-16页 |
1.1.1 三氯氢硅简介及主要用途 | 第9页 |
1.1.2 三氯氢硅生产现状 | 第9-11页 |
1.1.3 三氯氢硅中杂质元素对多晶硅的影响 | 第11-13页 |
1.1.4 三氯氢硅的精馏提纯工艺 | 第13-16页 |
1.2 检测方法概述 | 第16-21页 |
1.2.1 紫外-可见分光光度计法 | 第16-17页 |
1.2.2 原子吸收光谱法 | 第17-18页 |
1.2.3 电感耦合等离子体发射光谱法 | 第18-19页 |
1.2.4 电感耦合等离子体质谱法 | 第19-21页 |
1.3 国内外三氯氢硅的前处理和检测方法研究现状 | 第21页 |
1.4 本论文主要研究内容 | 第21-23页 |
第2章 三氯氢硅前处理 | 第23-29页 |
2.1 引言 | 第23页 |
2.2 实验部分 | 第23-25页 |
2.2.1 实验试剂 | 第23-24页 |
2.2.2 实验设备 | 第24页 |
2.2.3 实验过程 | 第24-25页 |
2.3 前处理原理与结果讨论 | 第25-27页 |
2.3.1 消解效果比较 | 第25-27页 |
2.4 小结 | 第27-29页 |
第3章 ICP-MS法测定三氯氢硅中硼元素 | 第29-43页 |
3.1 引言 | 第29-30页 |
3.2 实验部分 | 第30-31页 |
3.2.1 实验设备 | 第30页 |
3.2.2 实验试剂 | 第30页 |
3.2.3 实验步骤 | 第30-31页 |
3.3 硼元素测定原理与结果讨论 | 第31-42页 |
3.3.1 B元素的污染控制 | 第31页 |
3.3.2 ICP-MS工作条件的确定 | 第31-36页 |
3.3.3 络合剂的选择 | 第36-38页 |
3.3.4 电热板温度的选择 | 第38-39页 |
3.3.5 定容酸的选择 | 第39-40页 |
3.3.6 标准曲线的绘制 | 第40页 |
3.3.7 检测限的测定 | 第40-41页 |
3.3.8 方法的精密度 | 第41-42页 |
3.4 小结 | 第42-43页 |
第4章 Agilent 7700 ICP-MS测定三氯氢硅中磷元素 | 第43-51页 |
4.1 引言 | 第43页 |
4.2 实验部分 | 第43-44页 |
4.2.1 实验设备 | 第43-44页 |
4.2.2 实验试剂 | 第44页 |
4.2.3 实验步骤 | 第44页 |
4.3 检测原理与结果讨论 | 第44-49页 |
4.3.1 实验原理 | 第44页 |
4.3.2 磷元素的测定原理研究 | 第44-45页 |
4.3.3 载气和补偿气对PO(47)的影响 | 第45-47页 |
4.3.4 标准曲线的绘制 | 第47-48页 |
4.3.5 仪器检测限 | 第48页 |
4.3.6 方法准确度和精密度 | 第48-49页 |
4.4 小结 | 第49-51页 |
第5章 高纯三氯氢硅中金属杂质的测定 | 第51-61页 |
5.1 引言 | 第51页 |
5.2 实验部分 | 第51-52页 |
5.2.1 实验仪器 | 第51-52页 |
5.2.2 实验试剂 | 第52页 |
5.2.3 标准溶液的配置 | 第52页 |
5.2.4 实验步骤 | 第52页 |
5.3 测定机理与结果讨论 | 第52-58页 |
5.3.1 元素质量数及电离模式的确定 | 第52-54页 |
5.3.2 标准曲线的建立 | 第54-56页 |
5.3.3 方法的准确度 | 第56页 |
5.3.4 方法精密度 | 第56-57页 |
5.3.5 检测限 | 第57-58页 |
5.4 小结 | 第58-61页 |
第6章 高纯三氯氢硅杂质分析质量控制研究 | 第61-67页 |
6.1 引言 | 第61页 |
6.2 影响因素分析与控制 | 第61-65页 |
6.2.1 采集样品 | 第61-62页 |
6.2.2 制备样品和消解方法 | 第62页 |
6.2.3 试剂和标准的选择 | 第62-63页 |
6.2.4 器皿装置的选择 | 第63页 |
6.2.5 实验室洁净度控制 | 第63页 |
6.2.6 分析人员 | 第63-64页 |
6.2.7 仪器和方法 | 第64-65页 |
6.3 小结 | 第65-67页 |
第7章 结论与展望 | 第67-69页 |
7.1 结论 | 第67-68页 |
7.2 展望 | 第68-69页 |
参考文献 | 第69-73页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第73-75页 |
致谢 | 第75-76页 |