| 摘要 | 第10-12页 |
| ABSTRACT | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第14-18页 |
| 1.1 引言 | 第14页 |
| 1.2 A-IGZO薄膜晶体管的研究现状及应用 | 第14-16页 |
| 1.3 SnO薄膜晶体管的研究现状与应用 | 第16-17页 |
| 1.4 论文的主要内容 | 第17-18页 |
| 第二章 实验设备介绍 | 第18-28页 |
| 2.1 Denton Vacuum射频磁控溅射仪 | 第18-20页 |
| 2.1.1 设备介绍 | 第18-19页 |
| 2.1.2 设备工作原理 | 第19-20页 |
| 2.1.3 设备在本论文中的应用 | 第20页 |
| 2.2 HHV Auto 500电子束蒸发镀膜仪 | 第20-22页 |
| 2.2.1 设备介绍 | 第20-21页 |
| 2.2.2 设备工作原理 | 第21-22页 |
| 2.2.3 设备在本论文中的应用 | 第22页 |
| 2.3 SUSS MBJ4紫外曝光系统 | 第22-25页 |
| 2.3.1 设备介绍 | 第22-23页 |
| 2.3.2 设备工作原理 | 第23-24页 |
| 2.3.3 设备在本论文中的应用 | 第24-25页 |
| 2.4 FEI Nova NanoSEM 450扫描电子显微镜 | 第25-28页 |
| 2.4.1 设备介绍 | 第25-26页 |
| 2.4.2 设备工作原理 | 第26-27页 |
| 2.4.3 该设备在本论文中的应用 | 第27-28页 |
| 第三章 薄膜晶体管的工作原理 | 第28-35页 |
| 3.1 A-IGZO薄膜晶体管 | 第28-32页 |
| 3.1.1 A-IGZO薄膜晶体管的器件结构 | 第28-29页 |
| 3.1.2 A-IGZO薄膜晶体管的工作原理 | 第29-30页 |
| 3.1.3 A-IGZO薄膜晶体管的电学性能分析 | 第30-32页 |
| 3.2 基于a-IGZO的电双层薄膜晶体管 | 第32-33页 |
| 3.2.1 EDL薄膜晶体管的器件结构 | 第32页 |
| 3.2.2 EDL薄膜晶体管的工作原理 | 第32-33页 |
| 3.3 SnO薄膜晶体管 | 第33-35页 |
| 3.3.1 SnO薄膜晶体管的器件结构 | 第33-35页 |
| 第四章 基于非晶氧化铟镓锌的薄膜晶体管 | 第35-51页 |
| 4.1 A-IGZO薄膜晶体管的制备流程 | 第35-40页 |
| 4.1.1 关于制备流程的详细说明 | 第35-40页 |
| 4.2 A-IGZO薄膜厚度对器件性能的影响 | 第40-41页 |
| 4.3 覆盖PMMA对超薄a-IGZO薄膜晶体管器件性能的影响 | 第41-47页 |
| 4.3.1 烘烤温度对于PMMA改善效果的影响 | 第41-42页 |
| 4.3.2 表面处理对于PMMA改善效果的影响 | 第42-43页 |
| 4.3.3 PMMA对5 nm a-IGZO TFT器件性能的改善效果 | 第43-45页 |
| 4.3.4 PMMA对4 nm a-IGZO TFT器件性能的改善效果 | 第45-46页 |
| 4.3.5 5nm a-IGZO TFT在覆盖PMMA之后的稳定性研究 | 第46-47页 |
| 4.4 基于a-IGZO的EDL TFT的制备 | 第47-50页 |
| 4.5 总结 | 第50-51页 |
| 第五章 基于氧化亚锡的薄膜晶体管 | 第51-58页 |
| 5.1 SnO TFT的制备流程 | 第51-52页 |
| 5.2 各部分结构对器件性能的影响 | 第52-57页 |
| 5.2.1 栅极结构对器件性能的影响 | 第52-53页 |
| 5.2.2 Ta_2O_5对器件性能的影响 | 第53-55页 |
| 5.2.3 源、漏电极的选择 | 第55-56页 |
| 5.2.4 SnO TFT的电学特性 | 第56-57页 |
| 5.3 总结 | 第57-58页 |
| 第六章 总结及展望 | 第58-61页 |
| 总结 | 第58-59页 |
| 展望 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第65页 |
