| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-27页 |
| 1.1 InP材料概述 | 第8-11页 |
| 1.2 InGaAs /InP红外探测器 | 第11-15页 |
| 1.3 肖特基接触 | 第15-23页 |
| 1.4 本文的主要工作及内容安排 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-27页 |
| 第二章 TiW/p-InP肖特基二极管的I-V和C-V特性研究 | 第27-48页 |
| 2.1 引言 | 第27-28页 |
| 2.2 实验流程 | 第28-29页 |
| 2.3 测量与讨论 | 第29-44页 |
| 2.3.1 不同退火条件的影响 | 第29-35页 |
| 2.3.2 变温I-V测试 | 第35-42页 |
| 2.3.3 C-V特性 | 第42-44页 |
| 2.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-48页 |
| 第三章 TiW/p-InP肖特基二极管的反常电容研究 | 第48-58页 |
| 3.1 引言 | 第48-49页 |
| 3.2 测量与讨论 | 第49-55页 |
| 3.2.1 变频C-V特性 | 第49-53页 |
| 3.2.2 变温C-V特性 | 第53-55页 |
| 3.3 本章小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 第四章 不同CVD工艺对InP表面钝化的研究 | 第58-68页 |
| 4.1 引言 | 第58-59页 |
| 4.2 实验流程 | 第59-60页 |
| 4.3 测量与讨论 | 第60-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 第五章 InGaAs /InP红外探测器的研究 | 第68-78页 |
| 5.1 引言 | 第68页 |
| 5.2 InGaAs/InP p-i-n探测器的仿真 | 第68-70页 |
| 5.3 实验流程 | 第70-73页 |
| 5.4 测量与讨论 | 第73-75页 |
| 5.5 本章小结 | 第75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 第六章 结论及未来工作 | 第78-80页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
