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不同退火温度的P型氮化镓薄膜光学特性的研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第11-18页
    1.1 引言第11页
    1.2 GaN的基本性质第11-13页
    1.3 GaN的p型掺杂第13-14页
    1.4 GaN的外延生长第14-17页
        1.4.1 GaN的生长技术第14页
        1.4.2 衬底和缓冲层第14-16页
        1.4.3 样品的生长简介第16-17页
    1.5 本论文的主要研究工作第17-18页
第二章 P型GaN薄膜的椭偏光谱测量及光学特性的研究第18-38页
    2.1 引言第18页
    2.2 椭圆偏振光谱简介第18-23页
    2.3 椭偏数据的处理流程及实验数据获取第23-26页
    2.4 色散模型第26-29页
    2.5 P型GaN椭圆偏振光谱的研究分析第29-33页
    2.6 P型GaN薄膜的光学各向异性的椭偏分析第33-37页
    2.7 本章小结第37-38页
第三章 P型GaN薄膜拉曼光谱测量及光学性质分析第38-48页
    3.1 引言第38页
    3.2 拉曼光谱的简介第38-43页
    3.3 p型GaN薄膜的拉曼光谱第43-44页
    3.4 p型GaN拉曼光谱空间相关模型的分析第44-47页
    3.5 本章小结第47-48页
第四章 P型GaN薄膜光致发光光谱的测量及光学性质分析第48-56页
    4.1 引言第48页
    4.2 光致发光基本原理第48-51页
    4.3 不同退火温度p型GaN光致发光光谱分析第51-55页
    4.4 本章小结第55-56页
第五章 结论第56-57页
参考文献第57-64页
致谢第64-65页
攻读硕士期间已发表的论文及研究成果第65页

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