新型二维碳化钼材料的制备及器件研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 引言 | 第9-11页 |
| 1.2 碳化钼的性质 | 第11-14页 |
| 1.2.1 碳化钼的结构性质 | 第12-13页 |
| 1.2.2 碳化钼的电子性质 | 第13-14页 |
| 1.3 碳化钼的用途 | 第14-19页 |
| 1.4 碳化钼的制备方法 | 第19-21页 |
| 1.5 样品的表征 | 第21-22页 |
| 1.5.1 形貌表征 | 第21-22页 |
| 1.5.2 微观结构表征 | 第22页 |
| 1.6 电学特性的测试 | 第22页 |
| 1.7 技术路线 | 第22-23页 |
| 1.8 课题研究的主要内容 | 第23-25页 |
| 第2章 碳化钼的制备及其表征 | 第25-43页 |
| 2.1 化学气相沉积(CVD)原理简介 | 第25-26页 |
| 2.2 实验所需设备和材料 | 第26页 |
| 2.3 碳化钼的制备 | 第26-33页 |
| 2.3.1 二维碳化钼的CVD制备工艺 | 第26-29页 |
| 2.3.2 制备碳化钼的参数研究 | 第29-33页 |
| 2.4 碳化钼的转移 | 第33-34页 |
| 2.5 碳化钼的表征 | 第34-41页 |
| 2.5.1 XRD分析 | 第35-37页 |
| 2.5.2 原子力显微镜 | 第37页 |
| 2.5.3 扫描电子显微镜表征 | 第37-38页 |
| 2.5.4 XPS分析 | 第38-39页 |
| 2.5.5 TEM表征分析 | 第39-41页 |
| 2.6 本章小节 | 第41-43页 |
| 第3章 碳化钼电学器件的制备 | 第43-51页 |
| 3.1 光刻工艺 | 第43-45页 |
| 3.2 碳化钼与金属的接触工艺研究 | 第45-47页 |
| 3.3 碳化钼场效应结构器件的制备 | 第47-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第4章 碳化钼场效应结构器件的特性研究 | 第51-61页 |
| 4.1 碳化钼晶体管结构和测试原理 | 第51-52页 |
| 4.2 测试仪器和分析原理 | 第52-54页 |
| 4.3 背栅碳化钼FET的电学性质 | 第54-59页 |
| 4.3.1 不同沟道宽度的场效应管的转移曲线 | 第54-55页 |
| 4.3.2 碳化钼的电阻特性 | 第55-56页 |
| 4.3.3 碳化钼场效应结构输出特性 | 第56-58页 |
| 4.3.4 碳化钼器件的导电稳定性测试 | 第58-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-61页 |
| 第5章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 5.1 工作总结 | 第61-62页 |
| 5.2 工作展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 攻读硕士期间科研成果 | 第71页 |
