| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 研究的背景及意义 | 第9页 |
| 1.2 AlMgB_(14)的晶体结构 | 第9-11页 |
| 1.3 AlMgB_(14)的基本性质 | 第11-13页 |
| 1.3.1 AlMgB_(14)的力学性能 | 第11-12页 |
| 1.3.2 AlMgB(14)的热膨胀系数 | 第12-13页 |
| 1.3.3 AlMgB_(14)的电学性能 | 第13页 |
| 1.3.4 AlMgB_(14)的其他性质 | 第13页 |
| 1.4 AlMgB薄膜的研究现状 | 第13-16页 |
| 1.5 AlMgB薄膜的制备方法 | 第16-17页 |
| 1.5.1 脉冲激光沉积法(PLD) | 第16-17页 |
| 1.5.2 磁控溅射法 | 第17页 |
| 1.6 本论文的选题和主要的研究内容 | 第17-19页 |
| 2 磁控溅射系统制备AlMgB薄膜的制备工艺及表征方法 | 第19-27页 |
| 2.1 JPG450型高真空三靶磁控溅射系统简介 | 第19-21页 |
| 2.2 AlMgB薄膜的制备工艺 | 第21-23页 |
| 2.2.1 基片的选择与处理 | 第21页 |
| 2.2.2 AlMgB薄膜的具体制备过程 | 第21-23页 |
| 2.3 AlMgB薄膜的测试表征方法 | 第23-27页 |
| 2.3.1 厚度表征 | 第23页 |
| 2.3.2 形貌表征 | 第23-24页 |
| 2.3.3 结构表征 | 第24-25页 |
| 2.3.4 力学性能表征 | 第25-27页 |
| 3 脉冲偏压对AlMgB薄膜的影响 | 第27-40页 |
| 3.1 脉冲负偏压电压对AlMgB薄膜的影响 | 第27-34页 |
| 3.1.1 脉冲负偏压电压对AlMgB薄膜厚度的影响 | 第27-29页 |
| 3.1.2 脉冲负偏压电压对AlMgB薄膜形貌的影响 | 第29-31页 |
| 3.1.3 脉冲负偏压电压对AlMgB薄膜结构的影响 | 第31-32页 |
| 3.1.4 脉冲负偏压电压对AlMgB薄膜力学性能的影响 | 第32-34页 |
| 3.2 偏压占空比对AlMgB薄膜的影响 | 第34-39页 |
| 3.2.1 偏压占空比对AlMgB薄膜表面形貌的影响 | 第34-35页 |
| 3.2.2 偏压占空比对薄膜结构的影响 | 第35-37页 |
| 3.2.3 偏压占空比对AlMgB薄膜力学性能的影响 | 第37-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 4 直流叠加脉冲偏压对AlMgB薄膜的影响 | 第40-50页 |
| 4.1 结果与分析 | 第42-49页 |
| 4.1.1 直流叠加脉冲偏压对AlMgB薄膜沉积速率的影响 | 第42-43页 |
| 4.1.2 直流叠加脉冲偏压对AlMgB薄膜形貌的影响 | 第43-46页 |
| 4.1.3 直流叠加脉冲偏压对AlMgB薄膜结构的影响 | 第46-48页 |
| 4.1.4 直流叠加脉冲偏压对AlMgB薄膜力学性能的影响 | 第48-49页 |
| 4.2 本章小结 | 第49-50页 |
| 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
