| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-24页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 新型非挥发存储器 | 第12-17页 |
| 1.2.1 铁电存储器 | 第12-13页 |
| 1.2.2 相变存储器 | 第13-14页 |
| 1.2.3 磁存储器 | 第14-16页 |
| 1.2.4 阻变存储器 | 第16-17页 |
| 1.3 阻变存储器的性能参数及研究现状 | 第17-21页 |
| 1.3.1 阻变存储器的性能参数 | 第17-18页 |
| 1.3.2 阻变存储器的研究现状 | 第18-21页 |
| 1.4 ZnO的基本性质 | 第21-22页 |
| 1.4.1 ZnO的晶体结构 | 第21页 |
| 1.4.2 ZnO的阻变特性 | 第21-22页 |
| 1.5 论文研究内容及创新点 | 第22-24页 |
| 第二章 薄膜的制备与表征方法 | 第24-31页 |
| 2.1 脉冲激光沉积(PLD)制备方法的介绍 | 第24-26页 |
| 2.2 薄膜的微观结构表征方法 | 第26-28页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪 | 第26-27页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜 | 第27-28页 |
| 2.2.3 X射线光电子能谱 | 第28页 |
| 2.3 薄膜阻变特性测试 | 第28-31页 |
| 2.3.1 电极的制备 | 第28-29页 |
| 2.3.2 阻变性能测试 | 第29-31页 |
| 第三章 ZnO薄膜的制备工艺与性能研究 | 第31-41页 |
| 3.1 氧分压对ZnO薄膜结构及阻变性能的影响 | 第31-37页 |
| 3.1.1 实验 | 第31-33页 |
| 3.1.2 氧分压对ZnO薄膜阻变性能的影响 | 第33-37页 |
| 3.2 激光能量对ZnO阻变性能的影响 | 第37-38页 |
| 3.3 薄膜厚度对ZnO薄膜阻变性能的影响 | 第38-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 Cu掺杂浓度对ZnO薄膜阻变性能的影响 | 第41-51页 |
| 4.1 掺Cu的ZnO(Cu:ZnO)陶瓷靶材的制备 | 第41-42页 |
| 4.2 Cu掺杂对ZnO薄膜的表面形貌影响 | 第42-43页 |
| 4.3 Cu掺杂对ZnO阻变薄膜阻变性能的影响 | 第43-49页 |
| 4.3.1 Cu掺杂对ZnO阻变薄膜操作电压的影响 | 第43-45页 |
| 4.3.2 Cu掺杂对ZnO阻变薄膜抗疲劳特性的影响 | 第45-48页 |
| 4.3.3 Cu掺杂ZnO阻变薄膜保持特性和抗弯折特性测试 | 第48-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 薄膜阻变行为的阻变机理 | 第51-58页 |
| 5.1 氧化物薄膜材料的阻变机理 | 第51-52页 |
| 5.1.1 空间电荷限制电流效应(SCLC) | 第51-52页 |
| 5.1.2 普尔-法兰克(Poole-Frenkel, PF) 效应 | 第52页 |
| 5.1.3 肖特基(Schottky)发射效应 | 第52页 |
| 5.2 ZnO薄膜的阻变机理研究 | 第52-54页 |
| 5.2.1 I-V曲线的拟合 | 第53页 |
| 5.2.2 多值阻变(multilevel resistance switching, multilevel RS)现象 | 第53-54页 |
| 5.3 ZnO薄膜的细丝导电机理 | 第54-57页 |
| 5.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第六章 结论 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 研究生期间获得的成果 | 第65-66页 |
