| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 选题背景 | 第10-11页 |
| 1.2 电力电子器件的发展历史及趋势 | 第11-13页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第13-14页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 IGBT的结构及工作原理 | 第15-25页 |
| 2.1 IGBT的基本结构 | 第15-17页 |
| 2.2 IGBT的工作原理 | 第17-18页 |
| 2.3 IGBT的基本特性 | 第18-21页 |
| 2.3.1 正向导通 | 第18-20页 |
| 2.3.2 正向阻断特性 | 第20-21页 |
| 2.3.3 反向阻断特性 | 第21页 |
| 2.4 动态特性 | 第21-23页 |
| 2.4.1 IGBT的开通 | 第21-22页 |
| 2.4.2 IGBT的关断 | 第22-23页 |
| 2.5 安全工作区 | 第23-24页 |
| 2.6 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 IGBT的失效理论 | 第25-39页 |
| 3.1 IGBT失效机理 | 第25页 |
| 3.1.1 失效标准 | 第25页 |
| 3.1.2 失效种类 | 第25页 |
| 3.2 芯片缺陷与制造工艺引发失效 | 第25-26页 |
| 3.3 外部过应力造成的失效 | 第26-30页 |
| 3.3.1 过电应力失效 | 第26-28页 |
| 3.3.2 静电失效 | 第28-29页 |
| 3.3.3 电荷效应及电子迁移引发失效 | 第29-30页 |
| 3.4 闩锁失效 | 第30-33页 |
| 3.4.1 静态闩锁失效 | 第30-32页 |
| 3.4.2 动态闩锁失效 | 第32-33页 |
| 3.5 雪崩失效 | 第33-37页 |
| 3.5.1 静态雪崩失效 | 第33-34页 |
| 3.5.2 动态雪崩失效 | 第34-37页 |
| 3.6 封装失效 | 第37-38页 |
| 3.6.1 焊料层疲劳失效 | 第37-38页 |
| 3.6.2 引线键合失效 | 第38页 |
| 3.7 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 功率IGBT模块的失效分析 | 第39-51页 |
| 4.1 IGBT的一般失效分析手段 | 第39-42页 |
| 4.1.1 利用X射线检测IGBT模块焊接及打线缺陷 | 第39页 |
| 4.1.2 电测 | 第39-41页 |
| 4.1.3 利用超声扫描显微镜分析器件封装时的分层缺陷 | 第41-42页 |
| 4.1.4 SEM分析 | 第42页 |
| 4.2 失效分析中的化学方法 | 第42-44页 |
| 4.2.1 去除封装 | 第42-43页 |
| 4.2.2 去钝化层 | 第43页 |
| 4.2.3 器件的剥层 | 第43-44页 |
| 4.3 IGBT模块失效分析 | 第44-49页 |
| 4.3.1 模块整体电测 | 第45-46页 |
| 4.3.2 分离芯片电测 | 第46-47页 |
| 4.3.3 镜检 | 第47-48页 |
| 4.3.4 失效原因查找 | 第48-49页 |
| 4.4 IGBT的一般失效分析流程 | 第49-50页 |
| 4.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 全文总结及展望 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第56-57页 |