| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 前言 | 第11-13页 |
| 1.1 研究的背景 | 第11页 |
| 1.2 本文的结构安排和内容提要 | 第11-13页 |
| 第二章 文献综述 | 第13-27页 |
| 2.1 引言 | 第13页 |
| 2.2 直拉单晶硅中的氧杂质 | 第13-14页 |
| 2.3 直拉单晶硅中的氮杂质及氮氧复合体 | 第14-18页 |
| 2.4 直拉单晶硅中的碳杂质及碳氧复合体 | 第18-19页 |
| 2.5 直拉单晶硅中的氧沉淀 | 第19-23页 |
| 2.6 直拉单晶硅中的氧热施主(TD) | 第23-25页 |
| 2.7 快速热处理技术(RTP) | 第25-27页 |
| 第三章 实验样品和实验设备 | 第27-30页 |
| 3.1 实验样品参数 | 第27页 |
| 3.2 热处理设备 | 第27-28页 |
| 3.3 主要测试方法和测试设备 | 第28-30页 |
| 第四章 碳杂质对含氮直拉单晶硅中氮氧复合体形成的影响 | 第30-45页 |
| 4.1 引言 | 第30-31页 |
| 4.2 实验 | 第31-32页 |
| 4.3 较低浓度的碳杂质对氮氧复合体形成的影响 | 第32-34页 |
| 4.4 较高浓度的碳杂质对氮氧复合体形成的影响 | 第34-38页 |
| 4.5 RTP预处理条件下碳杂质对氮氧复合体形成的影响 | 第38-44页 |
| 4.6 本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 碳杂质对含氮直拉单晶硅中氧沉淀形成的影响 | 第45-55页 |
| 5.1 引言 | 第45-46页 |
| 5.2 实验 | 第46-47页 |
| 5.3 碳杂质对含氮直拉单晶硅中氧沉淀形成的影响 | 第47-51页 |
| 5.4 RTP预处理条件下碳杂质对氧沉淀形成的影响 | 第51-53页 |
| 5.5 本章小结 | 第53-55页 |
| 第六章 碳杂质对含氮直拉单晶硅中氧热施主形成的影响 | 第55-59页 |
| 6.1 引言 | 第55页 |
| 6.2 实验 | 第55-56页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第56-58页 |
| 6.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第七章 总结 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 个人简历 | 第71-73页 |
| 攻读学位期间发表的论文与取得的其他研究成果 | 第73页 |
