中文摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第一章 引言 | 第9-12页 |
1 自旋电子学简介 | 第9页 |
2 材料设计的兴起 | 第9-10页 |
3 研究动机和研究目的 | 第10-12页 |
第二章 理论基础 | 第12-18页 |
1 能带的计算方法 | 第12-13页 |
1.1 平面波方法 | 第12-13页 |
1.2 赝势方法 | 第13页 |
2 Hartree-Fork近似 | 第13-14页 |
3 密度泛函理论 | 第14-18页 |
3.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第15页 |
3.2 Kohn-Sham方程 | 第15-16页 |
3.3 局域密度近似 | 第16-17页 |
3.4 广义梯度近似 | 第17-18页 |
第三章 二元化合物RbSe和CsTe的第一性原理研究 | 第18-27页 |
1 引言 | 第18-19页 |
2 计算方法 | 第19页 |
3 研究结果与讨论 | 第19-23页 |
3.1 化合物结构 | 第19-21页 |
3.2 电子结构和磁学性质 | 第21-23页 |
3.3 居里温度 | 第23页 |
4 小结 | 第23-27页 |
第四章 双钙钛矿化合物Ba_2CeCoO_6的第一性原理研究 | 第27-40页 |
1 引言 | 第27-28页 |
2 计算方法 | 第28页 |
3 计算结果和讨论 | 第28-38页 |
3.1 结构性质 | 第28-31页 |
3.2 电子结构和磁学性质 | 第31-34页 |
3.3 热力学性质 | 第34-38页 |
4 小结 | 第38-40页 |
第五章 四元Heusler合金ZrCoFeZ (Z=Si, Ge) 的半金属性研究 | 第40-46页 |
1 引言 | 第40页 |
2 计算结果和讨论 | 第40-42页 |
3 小结 | 第42-46页 |
第六章 结论和展望 | 第46-48页 |
1 结论 | 第46页 |
2 展望 | 第46-48页 |
参考文献 | 第48-54页 |
论文发表情况 | 第54-55页 |
致谢 | 第55-56页 |