| 中文摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 热光伏技术 | 第11-18页 |
| 1.1.1 热光伏系统及优势 | 第11-15页 |
| 1.1.2 锑化物材料的特性及其在热光伏电池中的应用 | 第15-18页 |
| 1.2 量子阱结构在热光伏电池中的应用及其优势 | 第18-19页 |
| 1.3 本论文的主要研究工作 | 第19-21页 |
| 第二章 MOCVD 外延技术介绍和材料的表征方法 | 第21-32页 |
| 2.1 MOCVD 技术的发展原理及优势 | 第21-24页 |
| 2.2 MOCVD 系统的简介 | 第24-29页 |
| 2.3 X 射线衍射和金相显微镜 | 第29-32页 |
| 第三章 In_xGa_(1-x)Sb 的 MOCVD 制备及其生长特性研究 | 第32-48页 |
| 3.1 In_xGa_(1-x)Sb 外延层的制备 | 第32-34页 |
| 3.2 不同载气对 In_xGa_(1-x)Sb 外延膜结晶质量和表面形貌的影响 | 第34-41页 |
| 3.3 In_xGa_(1-x)Sb 薄膜晶体质量的表征及分析 | 第41-47页 |
| 3.3.1 生长温度的影响 | 第42-44页 |
| 3.3.2 气相 Ga/III 比的影响 | 第44-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 In_xGa_(1-x)Sb/GaSb 中间能带热光伏电池的设计和模拟 | 第48-64页 |
| 4.1 中间能带热光伏电池的设计 | 第48-57页 |
| 4.1.1 中间带热光伏电池的细致平衡理论模型 | 第48-50页 |
| 4.1.2 中间带热光伏电池的细致平衡效率 | 第50-52页 |
| 4.1.3 阱材料 In_xGa_(1-x)Sb 禁带宽度的确定 | 第52页 |
| 4.1.4 In_xGa_(1-x)Sb/GaSb 量子阱量子化能级的计算 | 第52-55页 |
| 4.1.5 In_xGa_(1-x)Sb/GaSb 量子阱个数的确定 | 第55-56页 |
| 4.1.6 In_(0.3)Ga_(0.7)Sb/GaSb 中间能带 TPV 电池的结构 | 第56-57页 |
| 4.2 In_xGa_(1-x)Sb/GaSb 中间带热光伏电池的模拟优化 | 第57-62页 |
| 4.2.1 N 型有源区厚度对电池性能的影响 | 第57-58页 |
| 4.2.2 P 型有源区厚度对电池性能的影响 | 第58-59页 |
| 4.2.3 P 型有源区掺杂浓度对电池性能的影响 | 第59-60页 |
| 4.2.4 N 型有源区掺杂浓度对电池性能的影响 | 第60-61页 |
| 4.2.5 窗口层和背场层对电池性能的影响 | 第61-62页 |
| 4.3 本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 总结 | 第64-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 攻读硕士期间的科研成果 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
